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机译:背门多层MOS_2和WSE_2通道N型金属氧化物半导体效应晶体管的瞬态特性:比较研究
Fudan Univ Sch Microelect State Key Lab ASIC & Syst Shanghai 200433 Peoples R China;
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机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:具有高/ c介电氧化物层和金属栅电极的应变InGaAs沟道n型金属氧化物半导体场效应晶体管的技术计算机辅助设计仿真研究
机译:高掺杂薄沟道GaN金属半导体和金属氧化物半导体场效应晶体管的瞬态响应
机译:N型金属氧化物-半电子场效应晶体管单轴应力效应的实验和数值研究
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:具有常关特性的反相沟道金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有常关特性的反转通道金刚石氧化物半导体场效应晶体管
机译:InxGa1-xsb沟道p-金属氧化物半导体场效应晶体管:应变和异质结构设计的影响