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公开/公告号CN111524998A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202010377339.9
发明设计人 张春福;成亚楠;陈大正;冯倩;张进成;郝跃;
申请日2020-05-07
分类号H01L31/113(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-12-17 11:32:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-11
公开
机译: 具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
机译: 半导体设备,绝缘栅模场效应晶体管和肖特基栅模场效应晶体管
机译: 半导体器件,绝缘栅型场效应晶体管和肖特基栅型场效应晶体管
机译:带有累积背栅的部分耗尽和完全耗尽的绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的正背栅耦合起源
机译:归因于背栅阶跃电位的纳米级双栅绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的短沟道效应减小
机译:高光敏性几层MoSe_2背栅场效应光电晶体管
机译:背栅和顶栅锗核/硅壳纳米线场效应晶体管的电学特性
机译:通过快速热处理制造的用于金属氧化物半导体场效应晶体管应用的直接隧道栅氧化物的研究。
机译:全方位栅InAs纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中的高度栅可调Rashba自旋轨道相互作用
机译:使用掺杂剂隔离的绝缘体上硅基肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管有效降低肖特基势垒
机译:In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管的背栅研究