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沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺

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正据《科技开发动态》2004年第2期报导,该发明为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺,属于微电子器件制造技术范围。该工艺和体硅及SOI工艺完全兼容,只需在常规CMOS工艺基础上增加一块图形化注氧的掩膜版,通过在Si片上热生长或淀积注氧掩蔽层、用图形化注氧掩膜版光刻注氧

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来源
《半导体信息》|2004年第2期|P.32-32|共1页
作者
章从福;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
SOI MOSFET 器件制造微电子器件掩膜科技开发体硅淀积浮体效应制造技术高温退火;

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