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程文芳;
AlGaN/GaN 外延层 IMEC 圆片 气相外延 硅衬底 金属有机物 异质结 低电阻率 可重复性;
机译:IMEC在150mm硅上生长AlGaN / GaN高电子晶体管结构
机译:通过源气体的脉冲供应形成高p载流子浓度的AlGaN和GaN外延层
机译:具有高电阻AlN外延层的AlGaN / GaN / AlN量子阱场效应晶体管
机译:在GaN外延层和AlGaN / GaN HFET中实现高电子迁移率的氨MBE方法
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:通过源气体的脉冲供应形成具有高p载流子浓度的AlGaN和GaN外延层
机译:alGaN和alGaN / GaN外延层中的供体,受体和陷阱
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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