采用横向外延过生长技术制备n—InP／p—Si异质结

摘要

KTH是位于瑞典的皇家科技研究院，近日采用波纹面横向外延过生长（CELOG）方式研制出了由n型InP和P型silicon材料构成的异质结。通常情况下，89／6的晶格失配会导致异质结具有较高的位错密度，而KTH采用CELOG方式成功研制出异质结光电二极管。