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徐保培;
中国科学院上海有机化学研究所;
光刻胶; 半导体器件; 微量杂质; 图形的; 掩模; 聚甲基丙烯酸; 离子束光刻; 氯丙烯酸; 线宽; 丙烯酸醋;
机译:使用紫外线可固化正性电子束光刻胶,通过紫外-纳米压印光刻和电子束光刻进行微通道制造
机译:使用正性光刻胶ZEP520 / P(MMA-MAA)/ PMMA三层膜通过在50 kV电子束光刻下两次曝光进行亚100 nm T栅极制造
机译:基于酚醛清漆的正性光刻胶作为纳米光刻光刻胶的评估
机译:用于高分辨率正性光刻胶(IV)的Novolak设计:用于高性能正性光刻胶的串联型线型酚醛清漆树脂
机译:高级光刻胶材料的设计和研究:减少环境影响的正性光刻胶和用于157 nm光刻的材料。
机译:含氟线性共聚酰亚胺与新型含氟超支化聚酰亚胺的物理交联含大空间体积可增强机械性能和紫外线屏蔽应用
机译:四氟乙烯与氟化和非氟化三环壬烯的新型无定形含氟聚合物。半导体光刻胶用于157和193 nm的成像
机译:利用正性光刻胶掩模技术制造低泄漏N沟道sOs晶体管的方法
机译:包含含氟烷基磺酰胺基团的聚合物的正性光刻胶组合物及其用途
机译:增加正性光刻胶材料对电子束的敏感性的方法是
机译:正性光刻胶组合物,具有感光膜的基板,形成方法的制造方法和抗蚀剂图案的正性光刻胶组合物
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