电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法

摘要

一种电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法，在介质瞙上沉积一层α-Si薄膜，然后将电子束直写光刻技术得到的高分辨率Zep 520胶图形作为掩瞙，用氯(Cl)基等离子刻蚀α-Si，将高分辨率Zep 520胶图形转移到其下层的α-Si瞙上，接着去除Zep 520胶，进一步利用具有良好保真性的α-Si瞙图形为掩膜，采用F基反应离子刻蚀介质形成凹槽图形，最后用湿法或干法将α-Si瞙去净即可。本发明提供的方法简单可行，完全与CMOS工艺兼容，不增加专门的设备，成本低，易于在介质中实现高精度的纳米尺度凹槽图形，解决了新结构CMOS器件制备中的一大难题。