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Advances in Resist Technology and Processing VIII
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1.
Critical dimension shift resulting from handling time variation in the track coat process
机译:
由于在道涂过程中处理时间的变化而导致的严重尺寸偏移
作者:
John M. Kulp
;
Eaton Corp.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
2.
Bilayer resist system utilizing alkali-developable organosilicon positive photoresist
机译:
利用碱显影有机硅正性光刻胶的双层光刻胶系统
作者:
Kazuo Nate
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Yokohama
;
Japan
;
Akiko Mizushima
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Yokohama
;
Japan
;
Hisashi Sugiyama
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Yokohama
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
3.
Dry development and plasma durability of resists: melt viscosity and self-diffusion effects
机译:
抗蚀剂的干显影和等离子体耐久性:熔体粘度和自扩散效应
作者:
Patrick J. Paniez
;
CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Olivier P. Joubert
;
CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Michel J. Pons
;
CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Jean C. Oberlin
;
CNET-CNS
;
Meylan
;
France
;
Andre P. Weill
;
CNET-CNS
;
Crolles Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
4.
DQN photoresist with tetrahydroxydiphenylmethane as ballasting group in PAC
机译:
PAC中以四羟基二苯甲烷为镇流基的DQN光刻胶
作者:
Chao Huei Tzeng
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Dhei-Jhai Lin
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutong
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Song S. Lin
;
Industrial Technology Research Institute
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Dong-Tsair Huan
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
5.
Dissolution inhibition mechanism of ANR photoresists: crosslinking vs. -OH site consumption
机译:
ANR光刻胶的溶解抑制机理:交联与-OH位消耗
作者:
James W. Thackeray
;
Shipley Co.
;
Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
George W. Orsula
;
Shipley Co.
;
Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Martha M. Rajaratnam
;
Shipley Co.
;
Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Roger F. Sinta
;
Shipley Co.
;
Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Daniel J. Herr
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
6.
Negative resist systems using acid-catalyzed pinacol rearrangement reaction in a phenolic resin matrix
机译:
在酚醛树脂基质中使用酸催化频哪醇重排反应的负性抗蚀剂系统
作者:
Shou-ichi Uchino
;
Hitachi Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
Takao Iwayanagi
;
Hitachi Ltd.
;
Hitachi
;
Ibaraki-ken
;
Japan
;
Takumi Ueno
;
Hitachi Ltd.
;
Hitachi Ibaraki
;
Japan
;
Nobuaki Hayashi
;
Hitachi Ltd.
;
Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
7.
Negative chemical amplification resist systems based on polyhydroxystyrenes and N-substituted imides or aldehydes
机译:
基于聚羟基苯乙烯和N-取代的酰亚胺或醛的负化学放大抗蚀剂系统
作者:
Hiroshi Ito
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Klaas Schildknegt
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Eugene A. Mash
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
8.
Nonmetallic acid generators for i-line and g-line chemically amplified resists
机译:
用于i线和g线化学放大抗蚀剂的非金属酸产生剂
作者:
William R. Brunsvold
;
IBM/General Technology Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Warren Montgomery
;
IBM/General Technology Div.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Bao Hwang
;
IBM/General Technology Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
9.
New aqueous base-developable negative-tone photoresist based on furans
机译:
基于呋喃的新型可碱显影的水性负型光刻胶
作者:
James T. Fahey
;
Cornell Univ.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Jean M. Frechet
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
10.
Oxygen plasma etching of silylated resist in top-imaging lithographic process
机译:
顶部成像光刻工艺中氧化硅烷化抗蚀剂的等离子体刻蚀
作者:
Han J. Dijkstra
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
11.
Acid-catalyzed pinacol rearrangement: chemically amplified reverse polarity change
机译:
酸催化的频哪醇重排:化学放大的反极性变化
作者:
Ratnam Sooriyakumaran
;
IBM/East Fishkill Facility
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Hiroshi Ito
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Eugene A. Mash
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
12.
Onium salt structure/property relationships in poly(4-tert-butyloxycarbonyloxystyrene) deep-UV resists
机译:
聚(4-叔丁氧基羰基氧基苯乙烯)深紫外线抗蚀剂中的鎓盐结构/性质关系
作者:
George Schwartzkopf
;
J. T. Baker Inc.
;
Phillipsburg
;
NJ
;
USA
;
Nagla N. Niazy
;
J. T. Baker Inc.
;
Phillipsburg
;
NJ
;
USA
;
Siddhartha Das
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Geetha Surendran
;
J. T. Baker Inc.
;
Phillipsburg
;
NJ
;
USA
;
John B. Covington
;
J. T. B
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
13.
Novel surface imaging masking technique for high-aspect-ratio dry etching a
机译:
用于高纵横比干蚀刻的新型表面成像掩膜技术
作者:
Gary S. Calabrese
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Livingstone N. Abali
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
John F. Bohland
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Edward K. Pavelchek
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Prasit Sricharoe
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
14.
Novel novolak resins using substituted phenols for high-performance positive photoresist
机译:
使用取代酚的新型酚醛清漆树脂用于高性能正性光刻胶
作者:
Toru Kajita
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Toshiyuki Ota
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Hiroaki Nemoto
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Yoshiji Yumoto
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Takao Miura
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
15.
Novolak design for high-resolution positive photoresists (IV): tandem-type novolak resin for high-performance positive photoresists
机译:
用于高分辨率正性光刻胶(IV)的Novolak设计:用于高性能正性光刻胶的串联型线型酚醛清漆树脂
作者:
Makoto Hanabata
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku
;
Osaka Osaka
;
Japan
;
F.Oi
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohanaku
;
Osaka
;
Japan
;
Akihiro Furuta
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohanaku
;
Osaka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
16.
Novel acid-hardening positive photoresist technology
机译:
新型酸硬化正性光刻胶技术
作者:
Karen A. Graziano
;
Rohm
;
Haas Co.
;
Spring House
;
PA
;
USA
;
Stephen D. Thompson
;
Rohm
;
Haas Co.
;
Harleysville
;
PA
;
USA
;
Mark R. Winkle
;
Rohm
;
Haas Co.
;
Spring House
;
PA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
17.
Novel base-generating photoinitiators for deep-UV lithography
机译:
适用于深紫外光刻的新型碱生成光引发剂
作者:
Charles Kutal
;
Univ. of Georgia
;
Athens
;
GA
;
USA
;
Scott K. Weit
;
Univ. of Georgia
;
Athens
;
GA
;
USA
;
Robert D. Allen
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Scott A. MacDonald
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
C. Grant Willson
;
IBM/Alma
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
18.
Novel quinonediazide-sensitized photoresist system for i-line and deep-UV lithography
机译:
用于i-line和深紫外光刻的新型醌二叠氮敏化光刻胶系统
作者:
Seiki Fukunaga
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Tomoyuki Kitaori
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Hiroo Koyanagi
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Shinichi Umeda
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Jap
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
19.
Process latitude measurements on chemically amplified resists exposed to synchrotron radiation
机译:
在暴露于同步辐射的化学放大抗蚀剂上进行工艺纬度测量
作者:
Carl P. Babcock
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
James W. Taylor
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
Stoughton
;
WI
;
USA
;
Monroe Sullivan
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
Portland
;
OR
;
USA
;
Doowon Suh
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
Hillsboro
;
OR
;
USA
;
De
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
20.
Airborne chemical contamination of a chemically amplified resist
机译:
化学放大抗蚀剂的空气传播化学污染
作者:
Scott A. MacDonald
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Nicholas J. Clecak
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
H.R. Wendt
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
C. Grant Willson
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Cli
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
21.
Process control capability using a diaphragm photochemical dispense system
机译:
使用隔膜光化学分配系统的过程控制能力
作者:
Terrell D. Cambria
;
Millipore Corp.
;
Bedford
;
MA
;
USA
;
Scott F. Merrow
;
Millipore Corp.
;
Bedford
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
22.
Process latitude for the chemical amplification resists AZ PF514 and AZ PN114
机译:
化学放大抗蚀剂AZ PF514和AZ PN114的工艺范围
作者:
Charlotte Eckes
;
Hoechst AG
;
Frankfurt Am Main
;
Germany
;
Georg Pawlowski
;
Hoechst AG
;
Kawagoe Saitama
;
Japan
;
Klaus J. Przybilla
;
Hoechst AG
;
Kawagoe City
;
Saitama-ken
;
Japan
;
Winfried Meier
;
Hoechst AG
;
Langen
;
Germany
;
Michel Madore
;
European Silicon St
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
23.
Progress in DUV resins
机译:
DUV树脂的进展
作者:
Klaus J. Przybilla
;
Hoechst AG
;
Kawagoe City
;
Saitama-ken
;
Japan
;
Heinz Roeschert
;
Hoechst AG
;
Frankfurt
;
Germany
;
Walter Spiess
;
Hoechst AG
;
Wiesbaden
;
Germany
;
Charlotte Eckes
;
Hoechst AG
;
Frankfurt Am Main
;
Germany
;
Subhankar Chatterjee
;
Hoechst Celane
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
24.
Preparations and properties of novel positive photosensitive polyimides
机译:
新型正型光敏聚酰亚胺的制备与性能
作者:
Rumiko H. Hayase
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Naoko Kihara
;
Toshiba Corp.
;
Sawai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Naohiko Oyasato
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
S.Matake
;
Toshiba Corp.
;
Sawai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Masayuki Oba
;
Toshiba Corp
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
25.
Technology and chemistry of high-temperature positive resist
机译:
高温正性抗蚀剂的技术与化学
作者:
Medhat A. Toukhy
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Thomas R. Sarubbi
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
David J. Brzozowy
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
26.
Structure of poly(p-hydroxystyrene) film
机译:
聚对羟基苯乙烯薄膜的结构
作者:
Minoru Toriumi
;
ERATO/Research Development Corp. of Japan
;
Shimogyo-ku
;
Japan
;
Masatoshi Yanagimachi
;
ERATO/Research Development Corp. of Japan
;
Shimogyo-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Hiroshi M. Masuhara
;
ERATO/Research Development Corp. of Japan
;
Suita
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
27.
Some experimental techniques for characterizing photoresists
机译:
表征光刻胶的一些实验技术
作者:
Christopher A. Spence
;
Univ. of California/Berkeley
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Richard A. Ferguson
;
Univ. of California/Berkeley
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
28.
Surface imaging on the basis of phenolic resin: experiments and simulation
机译:
基于酚醛树脂的表面成像:实验和模拟
作者:
Lothar Bauch
;
Institut fuer Halbleiterphysik
;
Dresden
;
Germany
;
Ulrich A. Jagdhold
;
Institut fuer Halbleiterphysik
;
Frankfurt (Oder)
;
Germany
;
Helge H. Dreger
;
Institut fuer Halbleiterphysik
;
Frankfurt Am Main
;
Germany
;
Joachim J. Bauer
;
Institut fuer Hal
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
29.
Physical aging of resists: the continual evolution of lithographic material
机译:
抗蚀剂的物理老化:光刻材料的不断发展
作者:
Patrick J. Paniez
;
CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Andre P. Weill
;
CNET-CNS
;
Crolles Cedex
;
France
;
Stephane D. Cohendoz
;
CNET-CNS
;
Meylan
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
30.
Polysilyne resists for 193 nm excimer laser lithography
机译:
用于193 nm受激准分子激光光刻的多晶硅抗蚀剂
作者:
Roderick R. Kunz
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Patricia A. Bianconi
;
Pennsylvania State Univ.
;
University Park
;
PA
;
USA
;
Mark W. Horn
;
Lincoln Lab./MIT
;
North Chelmsford
;
MA
;
USA
;
R.R. Paladugu
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
David C. Shav
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
31.
Reliability of contrast and dissolution-rate-derived parameters as predictors of photoresist performance
机译:
对比度和溶出率衍生参数作为光阻剂性能预测指标的可靠性
作者:
Peggy M. Spragg
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Rodney J. Hurditch
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
Providence
;
RI
;
USA
;
Medhat A. Toukhy
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
John N. Helbert
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
32.
Resist parameter extraction with graphical user interface in X
机译:
在X中使用图形用户界面抵抗参数提取
作者:
Anita S. Chiu
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Richard A. Ferguson
;
Univ. of California/Berkeley
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Takeshi Doi
;
Univ. of California/Berkeley
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
Alfred K. Wong
;
Univ. of California/Berkeley
;
Leuv
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
33.
Resist design for dry-developed positive working systems in deep-UV and e-beam lithography
机译:
抵抗深紫外和电子束光刻中干法开发的正工作系统的设计
作者:
Francoise Vinet
;
CEA/LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Michele Chevallier
;
CEA/LETI
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Christophe Pierrat
;
CEA/LETI
;
Boise
;
ID
;
USA
;
Jean C. Guibert
;
CEA/LETI
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Charles Rosilio
;
CEN-Saclay/LETI
;
Gif sur Yvette Ce
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
34.
Structural effects of DNQ-PAC backbone on resist lithographic properties
机译:
DNQ-PAC主链对抗蚀剂光刻性能的结构影响
作者:
Kazuya Uenishi
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Yasumasa Kawabe
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Tadayoshi Kokubo
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Sydney G. Slater
;
Olin Corp.
;
Roc
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
35.
Studies of dissolution inhibition mechanism of DNQ-novolak resist (II): effect of extended ortho-ortho bond in novolak
机译:
DNQ-novolak抗蚀剂的溶解抑制机理研究(II):扩展的邻-邻键在酚醛清漆中的作用
作者:
Kenji Honda
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Bernard T. Beauchemin
;
Jr.
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Edward A. Fitzgerald
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Alf
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
36.
Characterizing a surface imaging process in a high-volume DRAM manufacturing production line
机译:
表征大批量DRAM制造生产线中的表面成像过程
作者:
Cesar M. Garza
;
Sr.
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
David L. Catlett
;
Jr.
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Ricky A. Jackson
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
37.
Effect of sensitizer spatial distribution on dissolution inhibition in novolak/diazonaphthoquinone resists
机译:
敏化剂空间分布对线型酚醛清漆/重氮萘醌抗蚀剂溶解抑制的影响
作者:
Veena Rao
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
Laura L. Kosbar
;
Stanford Univ.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Curtis W. Frank
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
R. Fabian W. Pease
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
38.
Effect of silylation condition on the silylated image in the DESIRE process
机译:
DESIRE工艺中甲硅烷基化条件对甲硅烷基化图像的影响
作者:
Kazuo Taira
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Asao-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Junichi Takahashi
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Asao-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kenji Yanagihara
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Asao-ku
;
Kawasaki
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
39.
Dissolution of poly(p-hydroxystyrene): molecular weight effects
机译:
聚对羟基苯乙烯的溶解:分子量影响
作者:
Treva Long
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Ferdinand Rodriguez
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
40.
Dissolution kinetics of high-resolution novolac resists
机译:
高分辨率酚醛清漆抗蚀剂的溶解动力学
作者:
Katsuyuki Itoh
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Koji Yamanaka
;
NEC Corp.
;
Roseville
;
CA
;
USA
;
Hiroshi Nozue
;
NEC Corp.
;
Setagaya-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Kunihiko Kasama
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
41.
Evaluation of poly(p-trimethylsilylstyrene and p-pentamethyldisilylstyrene sulfone)s as high-resolution electron-beam resists
机译:
聚(对三甲基甲硅烷基苯乙烯和对五甲基二甲硅烷基苯乙烯砜)作为高分辨率电子束抗蚀剂的评价
作者:
Antoni S. Gozdz
;
Bell Communications Research
;
Red Bank
;
NJ
;
USA
;
Hiroshi Ono
;
Chisso Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Seiki Ito
;
Chisso Corp.
;
Red Bank
;
NJ
;
USA
;
John A. Shelburne
;
III
;
Bell Communications Research
;
Red Bank
;
NJ
;
USA
;
Minoru Matsuda
;
Tohuku Univ.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
42.
Evaluation of phenolic resists for 193 nm surface imaging
机译:
酚醛抗蚀剂用于193 nm表面成像的评估
作者:
Mark A. Hartney
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Donald W. Johnson
;
Microlithography Consulting Co.
;
Inc.
;
Newton
;
MA
;
USA
;
Allen C. Spencer
;
MacDermid Inc.
;
Waterbury
;
CT
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
43.
Highly sensitive microresinoid siloxane resist for EB and deep-UV lithography
机译:
用于EB和深紫外光刻的高灵敏度微树脂硅氧烷抗蚀剂
作者:
Satomi Yamazaki
;
NEC Corp.
;
Myamae Kwsaki Kgawa
;
Japan
;
Shinji Ishida
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Hiroshi Matsumoto
;
NEC Corp.
;
Kawasaki Kanagawa
;
Japan
;
Naoaki Aizaki
;
NEC Corp.
;
Sagamihara-shi Kanagawa
;
Japan
;
Naohiro Muramoto
;
Dow-Corning T
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
44.
Exposure dose optimization for a positive resist containing polyfunctional photoactive compound
机译:
含多官能光敏化合物的正性抗蚀剂的曝光剂量优化
作者:
Peter Trefonas
;
III
;
Shipley Co.
;
Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Chris A. Mack
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
45.
In-situ monitoring of silylation mechanisms by laser interferometry
机译:
通过激光干涉仪原位监测甲硅烷基化机理
作者:
Christophe Pierrat
;
ATT Bell Labs.
;
Boise
;
ID
;
USA
;
Patrick J. Paniez
;
CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
P.Martin
;
LETI
;
Grenoble Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
46.
Generalized characteristic model for lithography: application to negativechemically amplified resists,
机译:
光刻的通用特征模型:应用于负化学放大光刻胶,
作者:
David H. Ziger
;
SEMATECH
;
San Antonio
;
TX
;
USA
;
Chris A. Mack
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Romelia Distasio
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
47.
Mechanistic studies on the poly(4-tert-butoxycarbonyloxystyrene) /triphenylsulfonium salt photoinitiation process
机译:
聚(4-叔丁氧基羰基氧基苯乙烯)/三苯基s盐光引发过程的机理研究
作者:
Nigel P. Hacker
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Kevin M. Welsh
;
IBM/General Technology Div.
;
Plymouth
;
MN
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
48.
Mechanism of dissolution inhibition of novolak-diazoquinone resist
机译:
线型酚醛清漆重氮醌抗蚀剂的溶解抑制机理
作者:
Mitsuhiro Furuta
;
Tokyo Ohka Kogyo Co.
;
Ltd.
;
Koza-gun Kanagawa
;
Japan
;
Shingo Asaumi
;
Tokyo Ohka Kogyo Co.
;
Ltd.
;
Koza-gun Kanagawa
;
Japan
;
Akira Yokota
;
Tokyo Ohka Kogyo Co.
;
Ltd.
;
Koza-gun Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
49.
Application aspects of the Si-CARL bilayer process,
机译:
Si-CARL双层工艺的应用方面,
作者:
Michael Sebald
;
Siemens AG
;
Erlangen
;
Germany
;
Joerg Berthold
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Michael Beyer
;
Siemens AG
;
Braunschweig
;
Germany
;
Rainer Leuschner
;
Siemens AG
;
Erlangen
;
Germany
;
Christoph Noelscher
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Ulrich Sch
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
50.
Optimization of optical properties of resist processes
机译:
优化抗蚀剂工艺的光学性能
作者:
Timothy A. Brunner
;
IBM/Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
51.
Novolak resin design concept for high-resolution positive resists
机译:
高分辨率正性抗蚀剂的Novolak树脂设计理念
作者:
Tsutomu Noguchi
;
Sony Corp. Research Ctr.
;
Yokohama
;
Japan
;
Hidemi Tomita
;
Sony Corp. Research Ctr.
;
Yokohama
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
52.
Preliminary lithographic characteristics of an all-organic chemically amplified resist formulation for single-layer deep-UV lithography
机译:
单层深紫外光刻全有机化学放大抗蚀剂配方的初步光刻特性
作者:
Omkaram Nalamasu
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Elsa Reichmanis
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
May Cheng
;
ATT Bell Labs.
;
Berkeley Heights
;
NJ
;
USA
;
Victor Pol
;
ATT Bell Labs.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Janet M. Kometani
;
ATT Bell Labs.
;
Murra
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
53.
Progress in the study of development-free vapor photolithography
机译:
无显影气相光刻研究进展
作者:
Xiao-Yin Hong
;
Tsinghua Univ.
;
Beijing
;
China
;
Dan Liu
;
Tsinghua Univ.
;
Beijing
;
China
;
Zhong-Zhe Li
;
Tsinghua Univ.
;
Beijing
;
China
;
Ji-Quang Xiao
;
Beijing Institute of Chemical Technology
;
Beijing
;
China
;
Gui-Rong Dong
;
Beijing Institute of Chemical Tec
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
54.
Study of the chemically amplifiable resist materials for electron-beam lithography
机译:
用于电子束光刻的化学可放大抗蚀剂材料的研究
作者:
Hiroo Koyanagi
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Shinichi Umeda
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Seiki Fukunaga
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Tomoyuki Kitaori
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Jap
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
55.
Study of silylation mechanisms and kinetics through variations in silylating agent and resin
机译:
通过硅烷化剂和树脂的变化研究硅烷化机理和动力学
作者:
T.T. Dao
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Christopher A. Spence
;
Univ. of California/Berkeley
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Dennis W. Hess
;
Univ. of California/Berkeley
;
Bethlehem
;
PA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
56.
Synthesis and lithographic evaluation of alternating copolymers of linear and cyclic alkenyl(di)silanes with sulfur dioxide
机译:
线性和环状烯基(二)硅烷与二氧化硫交替共聚物的合成和光刻评估
作者:
Antoni S. Gozdz
;
Bell Communications Research
;
Red Bank
;
NJ
;
USA
;
John A. Shelburne
;
III
;
Bell Communications Research
;
Red Bank
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
57.
Polyvinylphenols protected with tetrahydropyranyl group in chemical amplification positive deep-UV resist systems
机译:
在化学放大正性深紫外线抗蚀剂系统中用四氢吡喃基保护的聚乙烯酚
作者:
Nobuaki Hayashi
;
Hitachi Ltd.
;
Tokyo
;
Japan
;
Leo Schlegel
;
Hitachi Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Takumi Ueno
;
Hitachi Ltd.
;
Hitachi Ibaraki
;
Japan
;
Hiroshi Shiraishi
;
Hitachi Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Takao Iwayanagi
;
Hitachi Ltd.
;
Hitachi
;
Ibaraki-ke
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
58.
Polysilanes for microlithography
机译:
微光刻用聚硅烷
作者:
Gregory M. Wallraff
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Robert D. Miller
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Nicholas J. Clecak
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
M.Baier
;
IBM/Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
59.
Simulation of connected image reversal and DESIRE techniques for submicron lithography
机译:
亚微米光刻的连接图像反转和DESIRE技术的仿真
作者:
Dan V. Nicolau
;
ICCE
;
Osaka
;
Japan
;
Mircea V. Dusa
;
SEEQ Technology
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Florin Fulga
;
ICCE
;
Bucharest
;
Romania.
会议名称:
《》
|
1991年
60.
Single-component chemically amplified resist materials for electron-beam and x-ray lithography
机译:
用于电子束和X射线光刻的单组分化学放大抗蚀剂材料
作者:
Anthony E. Novembre
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Woon W. Tai
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Janet M. Kometani
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
James E. Hanson
;
ATT Bell Labs.
;
South Orange
;
NJ
;
USA
;
Omkaram Nalamasu
;
ATT Bell
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
61.
Applicability of dry developable deep-UV lithography to sub-0.5 um processing
机译:
干法可显影深紫外光刻技术适用于0.5um以下的处理
作者:
Author(s): Anne-Marie Goethals Interuniv. Microelectronics Ctr. Leuven Belgium
;
Ki-Ho Baik Interuniv. Microelectronics Ctr. Kyoungki-do South Korea
;
Luc Van den hove Interuniv. Microelectronics Ctr. Leuven Belgium
;
Serge V. Tedesco LETI/CEA Gre
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
62.
Application aspects of the Si-CARL bilayer process
机译:
Si-CARL双层工艺的应用方面
作者:
Author(s): Michael Sebald Siemens AG Erlangen Germany
;
Joerg Berthold Siemens AG Muenchen Germany
;
Michael Beyer Siemens AG Braunschweig Germany
;
Rainer Leuschner Siemens AG Erlangen Germany
;
Christoph Noelscher Siemens AG Muenchen Germany
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
63.
Generalized characteristic model for lithography: application to negative chemically amplified resists
机译:
光刻的通用特征模型:在负化学放大光刻胶中的应用
作者:
Author(s): David H. Ziger SEMATECH San Antonio TX USA
;
Chris A. Mack SEMATECH Austin TX USA
;
Romelia Distasio SEMATECH Austin TX USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
64.
Chemically amplified negative-tone photoresist for sub-half-micron device and mask fabrication
机译:
用于半微米设备和掩模制造的化学放大负型光刻胶
作者:
Author(s): Willard E. Conley IBM/East Fishkill Facility Hopewell Junction NY USA
;
Robert Dundatscheck IBM/East Fishkill Facility Hopewell Junction NY USA
;
Jeffrey D. Gelorme IBM/East Fishkill Facility Yorktown Heights NY USA
;
John Horvat IBM/
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing VIII》
|
1991年
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