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吕长志; 亢宝位(译);
北京工业大学;
数字革命; 系统集成; 系统集成芯片; 绝缘衬底上的硅;
机译:在开关瞬态过程中对功率MOSFET的电热稳定性建模
机译:高热稳定性的薄膜SOI功率MOSFET的设计指南
机译:用于制造SiC功率MOSFET的Ni-Salicide与自对剥离的比较,用于SiC功率MOSFET的欧姆触点
机译:评估功率MOSFET线性模式热稳定性的客观标准
机译:4H碳化硅低压MOSFET和功率MOSFET的表征和建模
机译:用于高频脉冲回波仪表的高压功率放大器的功率MOSFET线性化器
机译:功率MOSFET体二极管的开关性能和鲁棒性分析:技术评价
机译:利用数据驱动和基于模型的方法在热应力加速老化下预测功率mosfets。
机译:功率MOSFET,包括该功率MOSFET的半导体器件以及制造该功率MOSFET的方法
机译:功率MOSFET,形成功率MOSFET的方法以及由该方法制成的另一种功率MOSFET
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