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李丕宁;
无;
离子刻蚀; 化学抛光; 机械抛光; 晶体;
机译:GaN衬底的表面处理:化学机械抛光和电感耦合等离子体干法刻蚀的比较
机译:化学机械抛光浆料中铜离子浓度对刻蚀速率的影响评估
机译:电感耦合等离子体刻蚀去除单晶La_3Ga_5SiO_(14)中化学机械抛光引起的损伤层
机译:光增强湿法化学刻蚀与腐蚀的比较研究在各种衬底上生长的GaN外延层的反应离子刻蚀
机译:GEC参考电池与商用反应离子刻蚀机的刻蚀条件比较
机译:使用纳米球刻蚀,软刻蚀和等离子刻蚀制造的等离子纳米结构
机译:Cl2,Cl2 / O2和Cl2 / N2电感耦合等离子体工艺刻蚀InP中高纵横比光子晶体孔的比较研究
机译:强隧道内隧道阻力对聚焦离子束刻蚀制备单电子晶体管电导的影响2。会议文件
机译:化学机械抛光垫修整剂,化学机械抛光工具,化学化学抛光垫的修整方法和化学机械抛光垫
机译:等离子刻蚀方法,等离子刻蚀装置和光子晶体制造方法
机译:等离子刻蚀方式,等离子刻蚀装置及光镍晶体的生产方式
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