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机译:化学机械抛光浆料中铜离子浓度对刻蚀速率的影响评估
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
Cu ion; etching promotion effect; chemical-mechanical polishing (CMP); slurry; hydrogen peroxide (H_2O_2);
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