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机译:GaN衬底的表面处理:化学机械抛光和电感耦合等离子体干法刻蚀的比较
NJC Institute of Technology, Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Adachi, Tokyo 123-8511, Japan;
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GaN substrate; CMP; ICP dry etching; subsurface damage; plasma-induced damage;
机译:电感耦合等离子体刻蚀去除单晶La_3Ga_5SiO_(14)中化学机械抛光引起的损伤层
机译:基于电感耦合等离子体反应离子刻蚀的GaN和InGaN基激光器结构干法刻蚀研究
机译:采用光电化学技术,电感耦合等离子体反应离子蚀刻诱导的N型GaN的表面损伤深度分析
机译:用于表面处理的等离子源的比较:射频感应耦合和表面波微波等离子源
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:在优化的化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体和反应离子蚀刻形成独特的GaN结构
机译:用于GaN,InN和alN的电感耦合等离子体蚀刻的基于ICl和IBr的等离子体化学的比较;材料科学工程B