机械抛光

摘要： 电极处理通常是决定电化学实验成功的关键因素,基于长期的电化学教学实践经验,归纳整理出两种电极处理的有效方法:惰性的玻碳电极通过简单的砂纸机械打磨和Al;O;粉浆抛光,即可在10~15 min内获得理想的电极状态;活性高的金电极通过快速机械打磨和Al;O;粉抛光后,尚需在0.5~1.0 mol/L的硫酸溶液中进行4~6次的电化学抛光,即可在1~2 h内获得理想的电极状态。上述电极处理方法可为各类电化学教学实验以及科学研究打下坚实的基础。

摘要： 一种无碱基板玻璃及其减薄方法公开(公告)号:CN113880429A公开(公告)日:2022.01.04申请(专利权)人:彩虹显示器件股份有限公司一种无碱基板玻璃,以质量百分数计,包括58.9%~62.5%的SiO2,14.2%~18.4%的Al_(2)O_(3),4.3%~13.7%的B_(2)O_(3),1.4%~1.9%的MgO、4.1%~7.6%的CaO、1.0%~2.1%的SrO、0~8.3%的BaO,和0.1%~0.2%的SnO_(2)。其减薄方法包括以下步骤,将上述无碱基板玻璃浸入氢氟酸、冰醋酸表面活性剂以及余量的水组成的化学侵蚀液中,使无碱基板玻璃减薄至0.4mm~0.5mm,将该无碱基板玻璃取出,超声清洗烘干;然后置于磨抛机的研磨盘上,机械抛光,使所述无碱基板玻璃减薄至0.3mm~0.35mm,得到柔性基板玻璃。该无碱基板玻璃成分合理,制得无碱玻璃的比模量值适中,使玻璃具有较好的柔韧性,其减薄方法操作便捷,通过化学刻蚀减薄以及机械抛光减薄两种方式的结合,对本发明中得到的厚度为0.7mm的无碱基板玻璃进行减薄,得到表面光滑,具备可弯曲性能的柔性基板玻璃。

摘要： 本文分别以加双氧水的化学机械抛光和未加双氧水的纯机械抛光方式对InSb晶片进行表面处理,通过分析氧化膜的生成,以及对InSb晶片的表面划痕、表面粗糙度和表面损伤的表征,开展了两种不同抛光方式下InSb晶片的表面质量对比研究。结果表明,在化学机械抛光过程中,InSb晶片表面有氧化层生成,该氧化层能保护材料表面免受损伤;并且发现加入双氧水作为抛光液的化学机械抛光方法能够获得较好表面质量的InSb晶片,其表面几乎无划痕,粗糙度降至0.606 nm,平整度约6.916 nm,且表面损伤明显降低。

摘要： 3D打印(增材制造)技术以其能够快速成型,对于结构复杂零部件的制造更有优势而受到航空企业重视.3D打印工艺逐层生长的特点,造成了打印出来的零部件表面粗糙度较差,很多部件必须经过后续表面加工才能达到应用要求.概述了3D打印技术在航空制造业中的应用,3D打印零部件应用面临的难题以及目前常用的表面加工工艺,重点论述了机械抛光、化学抛光、磨粒流抛光、激光抛光和电化学抛光工艺,对目前3D打印零部件常用的表面加工工艺做了比较和归纳.

摘要： 为了提升软质印章石的加工质量,在不同型号砂纸和溶胶-凝胶(SG)抛光膜上磨抛巴林石、高山石、芙蓉石3种印章石,探讨研磨盘和载物盘的转动方向、转速,加工压力,加工时间等工艺参数及工艺路线,并确定每道工序的最大光泽度值,以及印章石表面形貌和粗糙度之间的关系.结果表明:最终优化工艺的研磨盘、载物盘分别以300,120 r·min-1同向转动,加工压力为15 MPa;最佳工艺路线是通过在400#砂纸半精磨、在2000#砂纸的精磨和在SG抛光膜上抛光,使印章石表面光泽度达到50以上,粗糙度在100 nm左右,表面形貌在放大100倍时无明显划痕.

摘要： 为探究超硬脆碳化硅(SiC)材料的高效研抛方法,分别应用铸铁抛光盘、聚氨酯抛光盘、半固结磨粒抛光盘在自来水、KOH溶液、芬顿反应液3种研抛液中通过控制变量法对SiC进行了超声－电化学机械研抛试验,得到以试件材料去除率和表面质量为评价指标的优化抛光工艺参数.试验结果表明:使用铸铁抛光盘时材料去除率高,但表面质量差;使用半固结磨粒抛光盘时表面质量最好,但材料去除率低;芬顿反应液对提高试件的材料去除率效果最好;在试件与抛光盘之间的电压为+10V时,试件的材料去除率最高,比无电压时提高了55.1%;当试件保持环施加超声振动后,比无超声时材料去除率提高了91.7%,可见超声振动对SiC试件抛光起主要作用.

摘要： 体育器械,就是用于人体健身、健美运动训练,或体育基础训练和体能训练及康复性锻炼的各种器材。随着人们物质生活水平的提高,健身器材的需求日益增长以及大众健身观念的普及,人们越来越重视这种借助器械来锻炼身体的健身方式,传统的较为简单的器械已经逐渐不能满足人们对健身健美的需求,各种各样用于锻炼肌肉、增强体能和康复医疗的健身器械应运而生。从过去的功能单一变得越来越精细、美观、功能齐全。发展到今天,市场上能见到的健身器械琳琅满目,种类繁多,不仅有适合健身中心选购的大型、多功能器械,而且还出现了很多小巧玲珑适合家庭健身用的小型健身器械。据有关方面的不完全统计,目前世界上的健身器材至少有六千多至上万个品种。种类繁多的器材中如何选择合适的体育器械,成为本文亟待探讨的问题。

摘要： 边缘缺陷是多晶硅片生产中出现的主要缺陷之一。边缘缺陷会影响硅片外观,并进一步导致电池线制绒时的破片。经过长时间的观察,发现许多因素会影响太阳能级硅片的边缘缺陷,诸如:运输,带锯上的头尾截断,切片,去胶等等。试图改进开发新的工艺以减少由上述原因造成的边缘缺陷,例如:化学腐蚀和机械抛光,实验发现碱性腐蚀对硅片缺角、崩边改善效果最明显。

摘要： 在器件的微细化、复杂化和结构三维化日趋提高的今天,化学机械抛光.(CMP)是ULSI多层布线制备中唯一能提供全局平面化的技术.本文综述了化学机械抛光的基本工作原理、发展状况及应用前景.

摘要： 本文以Al2O3为例，详细介绍其EBSD样品制备的过程以及在磨抛过程中EBSP花样的变化。将尺寸为3×4mm的A12O3压片陶瓷进行镶嵌后，采用标准机械抛光流程对样品进行制备，每一步骤结束后立即对样品表面的平整度进行观察并采集其菊池花样，然后进行下一道次的抛光和观察，以此类推直至样品完成最终的振动抛光和花样观察。样品经不同抛光程序后的背散射图像，前向散射图像，菊池花样以及完成振动抛光后的IPF图。其中背散射图像是样品在0°倾斜的状态下利用背散射探头采集而得，前向散射图像则是样品在70°倾斜状态下利用安装在EBSD探头上下以及侧边的前向散射器(FSD)采集而得。经过9μm抛光后，背散射图像显示样品表面除了少数颗粒脱落之外整体较为平整，但FSD图像显示样品表面有大量划痕且凹凸不平，虽然隐约可见EBSP但不能被软件所标定;随着抛光的不断进行，样品表面划痕消失且起伏程度减小，EBSP也逐渐清晰;当抛光进行到硅溶胶时，样品表面已经相当平整，EBSP花样完整清晰;再经过120min的振动抛光后，花样质量并未见明显提高。由此可见，对于Al2O3陶瓷而言，采用标准的机械抛光手段即可获得优秀的EBSD数据而无需再进行长时间的振动抛光。

摘要： 本文研究了机械抛光和化学抛光处理薄板钢样表面对氧的影响,运用正交试验法对化学抛光处理薄板的温度和时间进行了优化,进行了准确度和精密度试验,相对标准偏差小于4.52%,并对影响分析结果准确度的因素进行了探讨,用拟定的方法分析薄板中的氧和氮获得了满意的结果。

摘要： 采用恒电流型电化学工艺,控制适当的电化学反应条件,分别在酸腐蚀的钨片和机械抛光的钨片上制备了BaWO4多晶膜.运用XRD,SEM测试手段分析表征了产物的晶相和表面形貌,结果表明,在相同的电化学条件下,机械抛光这种衬底处理方式可以较为有效地改善BaWO4多晶膜的表面平整度和均匀性.

摘要： 传统的铝及铝合金电解抛光含有严重污染环境的铬酸；无铬电解抛光工艺解决了六价铬对环境污染的问题，能耗降低，光亮度优于传统的含铬电解抛光。该工艺具有成本低、速度快、寿命长的优点。

摘要： 传统的铝及铝合金电解抛光含有严重污染环境的铬酸；无铬电解抛光工艺解决了六价铬对环境污染的问题，能耗降低，光亮度优于传统的含铬电解抛光。该工艺具有成本低、速度快、寿命长的优点。

摘要： 传统的铝及铝合金电解抛光含有严重污染环境的铬酸；无铬电解抛光工艺解决了六价铬对环境污染的问题，能耗降低，光亮度优于传统的含铬电解抛光。该工艺具有成本低、速度快、寿命长的优点。

摘要： 传统的铝及铝合金电解抛光含有严重污染环境的铬酸；无铬电解抛光工艺解决了六价铬对环境污染的问题，能耗降低，光亮度优于传统的含铬电解抛光。该工艺具有成本低、速度快、寿命长的优点。

摘要： PVA弹性抛轮是一种微孔泡沫塑料制成的海绵状新型磨具。用PVA弹性抛轮与粘砂布轮抛光对比试验表明PVA弹性砂轮抛光有如下优点：采用此砂轮抛光砂轮外径逐渐由大到小，落砂均匀不用打磨修正；PVA砂轮抛光工件表面光洁度比相同粒度的粘砂布轮抛光提高1—3级；PVA砂轮抛光抛轮同心度好、重量轻、振动小；PVA耐水砂轮端面抛光表面光洁度可提高到Δ11，生产效率提高5℅以上。（林遗摘）

摘要： 本发明公开了一种用于化学机械抛光的抛光液防溅装置和化学机械抛光设备，其中，抛光液防溅装置包括：环形挡圈，其环绕设置于抛光盘的外周侧，其配置有升降机构，可独立沿竖直方向移动以遮挡溅射的抛光液；导流槽组件，位于所述环形挡圈和所述抛光盘的下方，与所述环形挡圈形成迷宫密封，以遮挡所述环形挡圈底部与所述抛光盘之间的间隙，从而用于收集液体。

摘要： 提供一种对半导体装置的两相邻结构进行化学机械抛光的方法。该化学机械抛光方法包括：(a)提供一种半导体装置，其包含在其表面内形成的凹穴、在该表面上形成的第一材料层、以及填满该凹穴并在第一材料层上形成的第二材料层；以及(b)以抛光垫及基本上不含抑制剂的抛光浆料基本上抛光第一及第二材料层，其中该抛光垫包含第二材料层的腐蚀抑制剂。

摘要： 本发明公开了一种用于化学机械抛光的抛光液防溅装置和化学机械抛光设备，其中，抛光液防溅装置包括：环形挡圈，其环绕设置于抛光盘的外周侧，其配置有升降机构，可独立沿竖直方向移动以遮挡溅射的抛光液；导流槽组件，位于所述环形挡圈和所述抛光盘的下方，与所述环形挡圈形成迷宫密封，以遮挡所述环形挡圈底部与所述抛光盘之间的间隙，从而用于收集液体。

摘要： 一种用于化学机械抛光头的气膜、化学机械抛光头及抛光设备，其中所述气膜形成为包括，用于接收基板的底板；圆环状的边缘侧壁，该边缘侧壁具有沿所述底板的周缘向上延伸形成的直立部、从直立部上端朝上向内折弯延伸后朝上向外折弯延伸形成的弯折部和从所述弯折部上端弯向内侧水平延伸形成的第一水平延伸部；以及与所述边缘侧壁同心相邻设置的内侧壁，所述内侧壁在其顶端具有弯向内侧水平延伸的第二水平延伸部；其中，所述弯折部向外延伸不超过所述直立部的圆周外表面。

摘要： 提供一种对半导体装置的两相邻结构进行化学机械抛光的方法。该化学机械抛光方法包括：(a)提供一种半导体装置，其包含在其表面内形成的凹穴、在该表面上形成的第一材料层、以及填满该凹穴并在第一材料层上形成的第二材料层；以及(b)以抛光垫及基本上不含抑制剂的抛光浆料基本上抛光第一及第二材料层，其中该抛光垫包含第二材料层的腐蚀抑制剂。

摘要： 一种应用于化学机械抛光(CMP)工艺的抛光头，包括：一壳体；一晶片边缘压覆环，锁固于该壳体的一下方位置；一支撑背板，其具有多个呈非同心圆状(non－concentric)排列的压力区(pressure zone)，且该支撑背板具有一晶片接触面以及一非晶片接触面，其中进行一CMP抛光时，该支撑背板的该晶片接触面是抵靠住一晶片背面；以及一气动装置，用来在进行该CMP抛光时独立控制个别该多个呈非同心圆状排列压力区内施加在该晶片背面的下压力。

摘要： 本发明公开了一种用于化学机械抛光的承载头和化学机械抛光设备，承载头包括连接在枢轴下方的基座组件，在基座组件下方夹持有弹性膜以形成可加压腔室，在可加压腔室内定位有内压环，在可加压腔室外设有外压环，外压环和内压环套设装配；所述弹性膜的起始端固定于基座组件，弹性膜穿过外压环和内压环之间的相交面并绕内压环的外缘延伸从而包裹内压环并在底部形成用于抵接晶圆的底面；所述内压环的底面靠近边缘的位置设有第一垫片，通过内压环按压所述第一垫片以调节晶圆边缘的形貌。

摘要： 提供：一种化学机械抛光组合物，其包含研磨剂，碱性组分，选自季型多铵盐、碳数为6以上的季铵盐、和具有酰胺结构的经烷基化的聚合物的至少一种化合物，以及水性载体；包含所述至少一种化合物和水性载体的清洗组合物；以及使用所述组合物且用于基材的化学机械抛光方法和清洗方法。

摘要： 本发明公开了一种用于化学机械抛光的修整装置、方法及化学机械抛光系统，所述修整装置包括固定座、摆臂和修整器，所述修整器设置于摆臂的端部并绕固定座摆动；所述修整器包括可旋转的修整头，所述修整头包括连接盘、承载盘和修整盘，所述连接盘的至少一部分具有弹性，所述承载盘铰接于连接盘的下方，承载盘的下方固定有所述修整盘，以实现所述修整盘的自适应倾斜和/或移动。

摘要： 本发明公开了一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法，该抛光液包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜化学机械抛光过程中，本发明的铜化学机械抛光液能够满足前两步抛光步骤合并成一步抛光的使用要求，从而优化铜的抛光工艺、提高抛光效率。