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刻蚀与退火对GaN欧姆接触的影响

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摘要

使用干法刻蚀在GaN LED晶片上刻蚀n区,用电子束蒸发方法在n型GaN表面上淀积Ti/Al双金属层作为接触电极,在N2环境中进行退火.探讨不同的刻蚀方法和刻蚀条件及不同的退火条件对Ti/Al-n型GaN间欧姆接触的影响.

著录项

来源
《物理实验》 |2008年第2期|8-13|共6页
作者
丁红胜; 江忠胜; 鲁丽君; 丁国建;
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作者单位

北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O484.42;
关键词
n-GaN; 欧姆接触; 刻蚀; 退火;

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