提高GaN欧姆接触性能的方法、欧姆接触结构及应用

摘要

本发明公开了一种提高GaN欧姆接触性能的方法、欧姆接触结构及应用。所述方法包括：于非故意掺杂GaN材料上形成非晶Si层或金属Ge层；以激光辐照所述非晶Si层或金属Ge层的选定区域，以使所述选定区域内的非晶Si或金属Ge从所述非故意掺杂GaN材料的表面向内部扩散，从而至少在所述非故意掺杂GaN材料的表层区域形成n型掺杂区域。本发明使制备的GaN材料的Ga面欧姆接触更易形成，且比接触电阻率降低、热稳定性好，从而使GaN材料更易于用在新型半导体器件中；同时工艺操作简单，制作速度快，激光参数易于控制，不产生环境污染。