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肖洋; 魏珂; 郑英奎; 雷天民; 马晓华; 张一川; 张昇;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
高电子迁移率晶体管; 氮化铝镓; 氮化镓; 退火条件; 欧姆接触特性;
机译:快速热退火对AlGaN / GaN HEMT欧姆接触的影响
机译:退火温度对欧姆接触Ti / Al / Ni / Au与n-AlGaN / GaN异质结构的形态的影响
机译:Al厚度对TA / Ti / Al / Mo / Au欧姆接触的最佳退火温度对AlGaN / GaN的影响
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:热退火对PDAL / AU金属堆欧姆接触的影响P-Algan
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。
机译:AlGaN / GaN欧姆接触电极及其制备方法,以及减少欧姆接触的方法
机译:与Algan / GAN进行欧姆接触的方法
机译:AlGaN / GaN氮化物异质结构的欧姆接触方法
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