一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法

摘要

本发明具体涉及一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法。该方法包括：对AlGaN/GaN材料进行表面处理；对所述AlGaN/GaN材料表面蒸发或溅射Ti金属；对所述Ti金属表面淀积SiO₂保护层；对所述淀积SiO₂保护层后的样品进行包封退火处理；去除所述包封退火处理后的SiO₂保护层、Ti金属层及包封退火处理过程中形成的TiN；对样品进行表面处理；对样品表面依次蒸发或溅射Ti/Al/Ni/Au；对样品进行退火处理。该方法制作的欧姆接触电极因使用二次退火势垒层拥有更高密度的N空位，降低了欧姆接触电阻，同时二次退火、合金温度降低，使合金后的金属表面平整度良好，提升了器件性能。