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碳纳米管; 晶体管; 长度; 栅极; 科学杂志; 二硫化钼; 硅基;
机译:选择栅极长度和栅极偏置,以使纳米级金属氧化物半导体晶体管对统计的栅极长度变化和温度变化均不敏感
机译:对基于MoS_2和金属碳纳米管栅极的1 nm栅极长度晶体管的操作的物理见解
机译:30纳米以下栅极长度的金属氧化物半导体场效应晶体管中表面电势对栅极电压施加的响应的原位电子全息图
机译:使用金属纳米线触点的8nm栅极长度栅极纳米线晶体管的性能突破
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:AFM纳米光刻制造的p型双栅极和单栅极无结累积晶体管的电性能比较和电荷传输
机译:用于非对称门 - 全周系硅纳米线晶体管的有效栅极长度模型
机译:栅极长度为0.8和0.2微米的特性In(x)Ga(1-x)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp(0.53小于或等于x小于或等于0.70)调制 - 在低温下掺杂的场效应晶体管
机译:双栅极纳米晶体管的延伸栅极制造方法全部占纳米晶体管制备的纳米晶体管和使用相同的延伸栅极结构的传感器
机译:半导体器件包括两个第一类型的晶体管,其具有由不同长度的导体形成的栅极,分别与两个第二类型的晶体管,其具有由不同长度的导体形成的栅极。
机译:双栅极纳米晶体管的制造方法,围绕结构,由此制备的纳米晶体管和使用相同的延伸栅极结构的传感器
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