机译:选择栅极长度和栅极偏置,以使纳米级金属氧化物半导体晶体管对统计的栅极长度变化和温度变化均不敏感
Nanyang Technological University, School of Electrical and Electronic Engineering, Division of Microelectronics, Block S2.1, Nanyang Avenue, Singapore 639798, Republic of Singapore;
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rnGLOBALFOUNDRIES SINGAPORE Pte Ltd, 60 Woodlands Industrial Park D St. 2, Singapore 738406, Republic of Singapore;
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temperature-independent-point; MOSFETs; halo implant;
机译:物理气相沉积氮化钛的纳米湿法腐蚀及其在低于30nm栅长的鳍片式双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制造中的应用
机译:垂直夹层门 - 全围式场效应晶体管,具有自对准的高k金属栅极和小的有效栅极长度变化
机译:偏置温度不稳定性对具有高k / SiO_2栅堆叠的互补金属氧化物半导体场效应晶体管的应变效应和沟道长度依赖性
机译:离散掺杂对双栅极和栅极-AII-周围的金属氧化物半导体场效应晶体管中阈值电压变化的影响
机译:准确的栅极长度表征所面临的挑战,重点是晶粒内热变化的影响。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:大偏压对具有超薄栅极电介质P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)