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机译:用于非对称门 - 全周系硅纳米线晶体管的有效栅极长度模型
Xiaoqiao Dong; Ming Li; Wanrong Zhang; Yuancheng Yang; Gong Chen; Shuang Sun; Jianing Wang; Xiaoyan Xu; Xia An;
机译:具有不对称直径和重叠长度的垂直全栅无结纳米线晶体管
机译:具有不对称沟道宽度和源极/漏极掺杂浓度的全栅硅纳米线场效应晶体管的特性
机译:使用金属纳米线触点的8nm栅极长度栅极纳米线晶体管的性能突破
机译:短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:具有不对称直径和下划线长度的垂直门 - 全绕无线纳米线晶体管
机译:具有堆叠U形通道的门 - 全部围绕场效应晶体管,其配置成改善晶体管的有效宽度
机译:环绕门的全场场效应晶体管,其U形通道呈叠置形式,可改善晶体管的有效宽度
机译:在局部隔离的基板上具有堆叠纳米线的全方位栅极(GAA)晶体管
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