通过增大有效栅极长度来改进栅极对晶体管沟道的控制的技术

摘要

公开了一种用于通过以在沟道与源极区和漏极区的界面处沉积栅极控制层(GCL)而增大有效电栅极长度(Leff)来改进晶体管的栅极对沟道的控制的技术。GCL是可以在使用替换S/D沉积形成晶体管时进行沉积的名义上未掺杂的层(或相对于重掺杂的S/D填充材料为大体上较低掺杂的层)。在已经形成S/D腔之后并且在沉积重掺杂的S/D填充材料之前，可以在S/D腔中选择性沉积GCL。以此方式，GCL减小了源极和漏极与栅极叠置体的下重叠(Xud)并且还将重掺杂的源极区和漏极区分离。这继而增大了有效电栅极长度(Leff)并且改进了栅极对沟道的控制。