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电化学制备多孔硅的工艺对其形貌的影响

         

摘要

采用电化学腐蚀方法,将不同比例的乙醇和质量分数为40%的氢氟酸混合,并以此混合液为腐蚀液,在光照条件下,制备了N型轻掺杂的多孔硅.讨论了不同电化学腐蚀条件对多孔硅结构的影响.研究表明,电流密度、腐蚀时间和氢氟酸质量分数越大时,制备的多孔硅越深,孔径也越大,当以上三者数值过大时会导致多孔硅机械强度急速减弱.由表面形貌可知,当多孔层孔径小于500 nm时其机械强度良好,当孔径超过这一阈值尤其是大于800 nm时,多孔层骨架则极易断裂.

著录项

  • 来源
    《光学仪器》 |2015年第1期|9-13,23|共6页
  • 作者

    单燕; 徐伯庆; 陈麟;

  • 作者单位

    上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室,上海200093;

    上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;

    上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;

    上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室,上海200093;

    上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 光电子技术的应用;
  • 关键词

    电化学; 多孔硅形貌; N型硅;

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