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单燕; 徐伯庆; 陈麟;
上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室,上海200093;
上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;
电化学; 多孔硅形貌; N型硅;
机译:钛和钨基底阳极氧化制备纳米多孔TiO2和WO3膜:工艺变量对形貌和光电化学反应的影响
机译:电化学阳极刻蚀法制备多孔硅的形貌和纳米结构特征与电解质组成的关系
机译:纳米结构多孔硅电化学制备PbTe薄膜的衬底的形貌和应力研究
机译:通过电化学蚀刻制备的纳米结构多孔硅层的I-V和表面形貌研究
机译:多孔硅的电化学制备和物理化学表征以及多孔二氧化硅的阳极膜。
机译:电化学刻蚀制备多孔硅的形貌和纳米结构特征
机译:刻蚀时间对光电化学法制备N型多孔硅光学和形貌特征的影响
机译:与多孔硅形成有关的硅电化学
机译:改性多孔硅膜的制备方法,根据该方法制备的改性多孔硅膜和使用该改性多孔硅膜制造的半导体器件
机译:电化学和化学蚀刻相结合的工艺以获得多孔硅颗粒
机译:特别是具有高比表面制备工艺的多孔复合产品和由用于电化学组件的多孔复合膜形成的电极
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