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用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法

摘要

针对现有制备SOI硅片上多孔硅上的不足,本发明提供一种用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法。本发明的双槽装置包括外槽体、内槽体、下层垫圈、上层垫圈、槽体螺栓、螺母、垫圈螺栓;本发明的制备方法包括备片、硅片安置、装置安装、电化学腐蚀四步。有益的实际效果:本发明可以专用于SOI硅片上多孔硅的制备,也可以实现普通硅片上多孔硅的制备,并且多孔硅制备的形状可控。

著录项

  • 公开/公告号CN104746127B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN201510099634.1

  • 发明设计人 许高斌;奚野;陈兴;马渊明;

    申请日2015-03-07

  • 分类号

  • 代理机构合肥金安专利事务所;

  • 代理人徐伟

  • 地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-19

    授权

    授权

  • 2015-07-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25F 3/12 申请日:20150307

    实质审查的生效

  • 2015-07-01

    公开

    公开

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