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李恩平; 丁国庆;
不详;
多量子阱; 激光二极管; MQW;
机译:具有拉伸应变GaInP电子阻挡层的1.3μm压缩应变GaInAsP / GaInAsP多量子阱激光二极管
机译:1.3μmAlGaInAs / AlGaInAs应变补偿多量子阱折射率耦合分布反馈激光二极管
机译:1.3μmGa_(0.11)In_(0.89)As_(0.24)P_(0.76)/ Ga_(0.27)In_(0.73)As_(0.67)P_(0.33)压缩应变多量子阱,具有n型调制掺杂的GaInP中间体势垒激光二极管
机译:MBE生长和1.3 / splμm/ m激光二极管的高拉伸应变InGaAs / InGaAlAs多量子阱的表征
机译:1.55微米应变和应变补偿多量子阱单频激光器的设计,分析和制造技术。
机译:使用非对称In0.15Ga0.85N / In0.02Ga0.98N多量子阱提高InGaN激光二极管的输出功率
机译:n型调制掺杂势垒和线性梯度成分GaInAsP中间层对1.3μmAlGaInAs / AlGaInAs应变补偿多量子阱激光二极管的影响
机译:具有锥形增益区域的应变层InGaasp二极管激光器,用于波长= 1.3微米的操作
机译:使用应变补偿多量子阱的单模激光二极管及其制造方法
机译:应变补偿多量子阱的单模激光二极管及其制造方法
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