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一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管

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摘要

本发明提供了一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管，其量子阱层包括具有(In

1. 一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管 [P] . 中国专利： CN105489719B . 2018.09.11
2. 带具有变化的阱厚度的多量子阱结构的基于III族氮化物的发光二极管结构 [P] . 中国专利： CN102822995A . 2012-12-12
3. METHOD FOR MEASURING AMOUNT OF STRAIN OF STRAINED MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE, AND MANUFACTURE OF THE STRUCTURE [P] . 日本专利： JP2000353860A . 2000-12-19

机译：应变多量子阱结构应变的测量方法及结构的制造
4. Strained multiple quantum well structures and semiconductor lasers using the same [P] . 日本专利： JP3147596B2 . 2001-03-19

机译：应变多量子阱结构和使用该结构的半导体激光器
5. STRAIN MULTIPLE-QUANTUM-WELL STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LASER USING THIS STRUCTURE [P] . 日本专利： JPH0738206A . 1995-02-07

机译：利用这种结构的应变多量子阱结构和半导体激光器