激光二极管

摘要： 介绍了在ITER装置中使用激光二极管实现软X射线相机自检的设计。利用漫反射板进行光路设计,基于FPGA完成驱动模块设计和基于LABVIEW软件完成上位机设计。实现了激光二极管的远程实时开关和激光功率的调控,控制精度达到10;量级。在FPGA代码中预留了发出窄脉冲电流信号的功能,最窄脉冲达到100ns以内,能用于探测系统响应速率的测量,并对探测系统的本底噪声和基线偏移进行测量。

摘要： 为了实现对工业烟气粉尘浓度的精确测量,必须建立一套高精度准直光路系统,其中,对粉尘浓度激光二极管准直器的设计至关重要。分析了激光散射的原理,介绍了准直光路系统激光二极管准直器的结构,以及对该准直器关键部件的选择。通过Zemax光学仿真软件进行仿真设计。实验结果表明:激光准直器获得的光斑符合设计要求,能够满足粉尘浓度测量要求。

摘要： 介绍了一款465 nm蓝光激光二极管泵浦的自启动皮秒钛宝石激光器。该激光器采用双侧泵浦结构,弥补了模式匹配的不足,充分利用了低掺杂浓度、长通光长度的钛宝石晶体,当泵浦功率为7 W时,获得了718 mW的连续光输出,且未观测到明显的泵浦诱导损耗现象。在SESAM的辅助下,获得371 mW、6 ps的可自启动的被动锁模输出,而且10 h内输出功率的RMS值小于0.5%。

摘要： 透明陶瓷相较于单晶,制备工岂简单、生产成本较低;而与玻璃相比,又具有散热性能好、转化效率高、色彩易调节等优点,因此,透明陶瓷被认为是下一代固态照明领域的重要材料.目前,用于固态照明的主要材料是铈掺杂钇铝石榴石,同时也包括其他氧化物(如尖晶石等)和氟化物(如萤石).本文首先对照明器件的类型进行简单的介绍,然后从透明陶瓷发光性能的影响因素出发,分析了离子掺杂种类及浓度、样品厚度、第二相等因素对固态照明参数的影响情况,并对透明陶瓷荧光材料的发展趋势进行简单的分析和展望.

摘要： 阐述光谱反射蒙皮对有源区,外壳的吸收区以及SLD芯片的发光端面的影响,SLD组件的封装,温度受控的SLD,SLD芯片连接,发光二极管分析,连续性分析技术,以及SLD的波长倍增器技术要求.

摘要： 文章介绍了内燃机测试台架主要对中方法与技术要求,重点分析激光对中对提升内燃机测试台架安装效率与调试精度的潜力,详细阐述激光对中技术在轴系对中过程中的工作原理、技术类型与相关进展,为内燃机台架测试技术的精进提供参考依据。

摘要： 文章介绍了内燃机测试台架主要对中方法与技术要求,重点分析激光对中对提升内燃机测试台架安装效率与调试精度的潜力,详细阐述激光对中技术在轴系对中过程中的工作原理、技术类型与相关进展,为内燃机台架测试技术的精进提供参考依据.

摘要： 近日,罗姆半导体召开媒体发布会,推出LiDAR用75W高输出功率激光二极管"RLD90QZW3",并对媒体分享了其中期经营计划。据罗姆半导体北京技术中心工程师吴波先生介绍称,新产品非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR的工业设备领域的AGV和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。

摘要： 据报道,由中国和俄罗斯学者们组成的研究团队开发出了一种通用磷光体,可作为各个领域(从医学到农业)所用的传感器的基础。能够将自己吸收的能量转化为光辐射(发光)的物质被称为磷光体。"目前具有这种辐射的仪器,比如卤素灯、激光二极管和超连续谱激光器,它们体积大、耗能大、效率低。而基于带有发光二极管的磷光体的红外灯体积小、效率高,但其热稳定性问题尚未得到解决。"

摘要： 本文以小型化全固态可见激光为研究对象,发展了Pr3-离子可见激光及功能复合的自倍频黄光激光相应的晶体材料和激光技术.全面表征了掺Pr3+氟化钆锂(Pr3+∶GdLiF4)晶体光谱随温度的变化,并以蓝光激光二极管(LD)为泵浦源获得了连续、调Q和锁模的522nm绿光、605nm橙光、639nm红光及720nm深红光激光输出,发展了相应调制器件和调制技术;针对黄色激光的国际难题,引入声子拓展Yb3+激活离子的发射波段并通过LD泵浦自倍频技术获得了瓦级570nm黄色激光输出,填补了国内外研究空白.相应研究对可见光激光的发展有一定的促进作用.

摘要： 发展了一种新型的基于硅光导开关和磁开关串联的组合开关,相比于传统的磁开关,该开关能将数十微秒的充电脉冲直接压缩到数十纳秒,同时也可以降低硅光导开关对触发光功率的需求从而使得采用激光二极管实现硅光导开关成为可能.本文测试了硅光导开关、磁开关及组合开关性能并对实验结果进行了讨论.

摘要： 发展了一种新型的基于硅光导开关和磁开关串联的组合开关,相比于传统的磁开关,该开关能将数十微秒的充电脉冲直接压缩到数十纳秒,同时也可以降低硅光导开关对触发光功率的需求从而使得采用激光二极管实现硅光导开关成为可能.本文比较了组合开关与单一硅光导开关在不同功率及脉宽的激光二极管触发时的性能.对一种硅光导开关与磁开关串联的组合式开关进行了实验研究，采用900W功率脉宽1200ns的激光二极管分别触发硅光导开关及组合开关，在同样的测试电路条件下电流峰值、上升沿及脉宽分别从176A，218ns536ns变为265A，115ns，376ns，输出电流有了较大幅度的提高，前沿及脉宽均大幅降低，初步验证了这一想法的可行性。在保证足够的能量的情况下进一步提高激光二极管功率，可以减小所需的磁开关伏秒数，从而减小饱和电感，能够进一步提高组合开关性能。

摘要： 脉冲方式工作的半导体激光器在脉冲功率领域有着广泛的应用前景.本文中介绍了一种以雪崩晶体管为脉冲电流开关的激光二极管驱动电路,详细阐述了雪崩晶体管的工作原理和电路的仿真设计.

摘要： 光导开关具有响应速度快、重复率高、皮秒时间精度、触发晃动小、同步性好和耐压高等优点,使之在高功率脉冲领域具有广阔的应用前景.目前,大多由脉冲激光器发出的激光触发光导开关,成本高且设备结构不够紧凑,而激光二极管具有超小型、高效率、结构简单、价格便宜、以及可高速工作等一系列优点,因此采用激光二极管触发光导开关具有极大优势.本文中,使用激光二极管触发光导开关使其工作在非线性模式下,研究了外电路电流对光导开关导通电阻的影响,以及触发激光功率对光导开关的抖动和输出电压的影响.由实验分析得到导通电阻随电流的增加而降低;而激光功率对开关抖动的影响随激光脉冲上升沿的不同而不同,上升沿较长时,抖动随功率增大而增大;相对较短时,抖动随功率增大而减小.而输出电压在大于某一功率时随功率增加而增加.

摘要： 本文着重分析了影响光抽运铯原子钟寿命的因素,认为激光抽运型铯原子钟的寿命主要取决于铯泡充铯量、铯束管吸铯剂、激光二极管寿命三个因素.另外,全寿命周期内激光的光强稳定性、激光系统的长期稳定锁定能力(自动稳频及参数自恢复)是影响整机指标的关键因素,因此也被纳入寿命研究的范畴.经过不断研究与改进,我们采用发散角在1°～3°的准直器,8g充铯量,可以保证10年以上的使用寿命;采用"集中式"与"分散式"吸铯剂,吸铯年限＞10年;计算激光二极管激活能,改进设计和生产工艺,激光二极管失效年限＞25年;激光自动稳频稳幅,保证了系统长期可靠运转.通过上述措施,所研制的激光抽运小型铯原子钟寿命理论计算值为10年以上.目前,1台样机已连续运转约4.5年,性能指标没有变差的趋势;对40台样品进行了温度、振动等试验考核,验证了产品的可靠性和长期寿命.

摘要： 激光白光光源在固体照明方面的应用己成为国内外的研究热点,由于激光二极管与发光二极管性质的不同,使得激光白光光源亟待解决的问题仍有许多.本文综述了国内外激光白光的研究进展,从激光二极管的性质出发阐述了实现激光白光照明的基本原理和关键技术,通过实验研究了提高激光白光照明效率的可行性.

摘要： 用激光二极管自混合干涉测量振动.采用机械振动进行相位调制,调制频率约18kHz,用USBee DX pro采集调制信号,傅里叶变换频谱分量提取方法,LabVIEW编程来解调出振动信号.测量出家用电器振动的信号波形和振动频谱,振动包含多种频率成分.

摘要： 基于Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体器件在照明、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景,近年来受到越来越多的关注和重视.在过去的十多年里,不同波段的化合物半导体材料先后被研发出来,以LED和LD为代表的光电子器件因此得以迅猛发展.本文从半导体光电子器件角度出发,针对全光谱LED和VCSEL的研究进展和应用状况等方面,分别阐述探讨了全光谱LED和VCSEL的产业发展趋势.

摘要： 基于Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体器件在照明、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景,近年来受到越来越多的关注和重视.在过去的十多年里,不同波段的化合物半导体材料先后被研发出来,以LED和LD为代表的光电子器件因此得以迅猛发展.本文从半导体光电子器件角度出发,针对全光谱LED和VCSEL的研究进展和应用状况等方面,分别阐述探讨了全光谱LED和VCSEL的产业发展趋势.

摘要： 一种制造激光器二极管器件的方法，该器件具有：电绝缘的外壳基体(1)和电连接导体(5a，5b)，该电连接导体从外壳基体(1)中引出并且可以从外壳基体(1)之外接近。外壳基体(1)由可透过激光器二极管器件所发出的激光束的材料制成，并包括芯片安装部位(3)。激光器二极管器件的射束轴穿过外壳基体(1)。此外，本发明还涉及一种这样方法制造的壳体和具有这种类型的壳体的激光器二极管器件。

摘要： 一种制造激光器二极管器件的方法，该器件具有：电绝缘的外壳基体(1)和电连接导体(5a，5b)，该电连接导体从外壳基体(1)中引出并且可以从外壳基体(1)之外接近。外壳基体(1)由可透过激光器二极管器件所发出的激光束的材料制成，并包括芯片安装部位(3)。激光器二极管器件的射束轴穿过外壳基体(1)。此外，本发明还涉及一种这样方法制造的壳体和具有这种类型的壳体的激光器二极管器件。

摘要： 一种制造激光二极管基座的方法包括提供底座的步骤，底座配置有陶瓷载体和在衬底上沉积的金属层。该方法还包括使用脉冲激光器，脉冲激光器操作为产生多个脉冲，所述多个脉冲在金属层表面上以预定的图案选择性排列，从而将金属层的所需区域烧蚀至所需深度。随后，将底座分割为多个基座，每一个基座均支撑激光二极管。金属层包括在陶瓷上沉积的并且厚度足以有效地促进散热的银子层。

摘要： 本发明公开了一种微激光二极管转移方法和制造方法。该转移方法包括：在接收衬底上形成结合层，其中，第一类型电极连接到所述结合层；将承载衬底上的微激光二极管的第一侧与所述接合层接触，其中，所述承载衬底是激光透明的；以及从承载衬底侧用激光照射所选择的微激光二极管，以从承载衬底剥离所选择的微激光二极管。

摘要： 提出一种半导体激光二极管，其具有：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有竖直地上下重叠地施加的半导体层，所述半导体层具有有源层(11)，所述有源层在运行中经由辐射耦合输出面放射激光辐射，其中辐射耦合输出面由半导体层序列(1)的侧面形成；和横向地彼此相邻地在半导体层序列(1)的主表面(12)上的隔热层(2)和金属的接触层(5)，其中隔热层(2)由电绝缘的多孔材料(9)形成。由此，在运行中产生的热量经由p型电极(5)引向热沉(20)并且避免构成二维的温度梯度。因此，反作用于在边缘发射器中的热透镜。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管和半导体激光二极管装置的方法。

摘要： 一种制造激光二极管基座的方法包括提供底座的步骤，底座配置有陶瓷载体和在衬底上沉积的金属层。该方法还包括使用脉冲激光器，脉冲激光器操作为产生多个脉冲，所述多个脉冲在金属层表面上以预定的图案选择性排列，从而将金属层的所需区域烧蚀至所需深度。随后，将底座分割为多个基座，每一个基座均支撑激光二极管。金属层包括在陶瓷上沉积的并且厚度足以有效地促进散热的银子层。

摘要： 本发明涉及一种用于激光二极管(7)的控制设备(1)，所述控制设备具有第一驱动装置(3)和分析处理电路(2)，所述第一驱动装置设计用于产生经高频调制的控制信号(5a)并且为了抑制散斑将所述控制信号馈入所述激光二极管(7)中，所述分析处理电路与所述第一驱动装置(3)耦合，并且所述分析处理电路设计用于输出指示由所述激光二极管(7)发射的光的强度(7a)的强度信号(2b)并且根据所述强度信号(2b)向所述第一驱动装置输出调节信号(3a)来调节所述经高频调制的控制信号(5a)。

摘要： 一种激光二极管(1)，包括：‑表面发射的半导体激光器(10)，其设置用于发射电磁辐射(E)；和‑光学元件(20)，其沿放射方向(L)设置在半导体激光器(10)下游，其中‑光学元件(20)包括衍射结构(200)或元光学结构(200)或透镜结构(200)，并且‑光学元件(20)和半导体激光器(10)材料配合地彼此连接。

摘要： 本发明提供一种GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法，包括依次层叠设置的P型电子阻挡层、P覆盖层、P接触层，P接触层的上表面处开设有两条平行的沟槽，两条平行的沟槽之间形成脊条，沟槽外侧的P接触层的上表面处开设有凹槽，凹槽深度等于沟槽深度，P型电子阻挡层和P接触层的上表面、沟槽与凹槽的内底壁和内侧壁设有第一钝化层，脊条上表面处的第一钝化层开设第一通孔，在第一钝化层和脊条的上表面处设有P电极；或者，凹槽和沟槽内均填充有第二金属层，P接触层、第二金属层的上表面设置有第二钝化层，脊条上表面处的第二钝化层开设第二通孔，在第二钝化层和脊条的上表面处设置有P电极。其改进散热，降低封装要求。

摘要： 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4)，其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22)，所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10)，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。