低能As＋注入Si（100）产生缺陷的研究

摘要

介绍了用慢正电子束探针研究Ａｓ＾＋以不同角度注入Ｓｉ（１００）产生的缺陷以及退火后缺陷消除效应的结果，用正电子Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽湮没技术对样品作无损检测，采用一维的扩散方程进行拟合，对缺陷分布求解，获得缺陷的各种信息，实验结果表明，１５°小角度注入产生的缺陷浓度比６０°注入要大，而且两者的缺陷类型也不同，对于１５°注入产生的缺陷可用快速热退火很好地消除。