机译:关于绝缘体上的SiGe和SiGe虚拟衬底上生长的应变Si的应变波动的起源
机译:通过向SiGe / Si异质结构中注入氧和新颖的两步退火工艺制造绝缘体上SiGe材料
机译:NH3和N-2退火对在绝缘体上完全耗尽的SiGe衬底上生长的La2O3薄膜的界面和电学特性的影响
机译:通过低能量氧气植入造成的SiGe-on绝缘体基质进入Si中生长的厚伪形SiGe 100
机译:在常规和LEO基板上通过CVD生长的氮化镓厚膜的微观结构。
机译:在玻璃基板上生长的SiGe纳米结构的形貌控制和光学性质
机译:Al2O3沉积和后续退火后富含富含GE富含SiGe-on-Insululator基材的缺陷的钝化
机译:使用晶片键合技术创建无缺陷高Ge含量(25%)siGe-on-Insulator(sGOI)衬底的方法。