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段中夏; 刘俊标; 韩立;
中国科学院电工研究所,北京100190;
PT; 过渡层; (100)取向; 制备工艺; PZT;
机译:PZT纳米粒子增强的PZT压电厚膜产生材料的制备与表征
机译:基于MEMS的PZT / PZT双压电晶片厚膜振动能量采集器的制备与表征
机译:压电振动器Pt / Ti箔基片上PZT厚膜的制备及特性
机译:使用化学溶液法制备铅Dirconate(PZT)厚膜的制备和压电表征
机译:自激,自感应PZT /二氧化硅压电微悬臂梁传感器的合成,制备和表征
机译:用于传感和驱动的PZT厚膜的制备与表征
机译:ZnO纳米晶须增强的MEMS压电发电机PZT厚膜的制备与表征
机译:高取向pZT单晶粒组成1-3层复合板的制备及压电性能
机译:高密度pzt-pmnn压电厚膜及其制备方法
机译:包含有机材料和纳米孔的pzt基压电厚膜及其制备方法
机译:基于PZT的含有机材料和纳米孔的压电厚膜及其制备方法
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