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张龙涛; 曹艳荣; 任晨; 马毛旦; 吕航航; 吕玲; 郑雪峰; 马晓华;
西安电子科技大学机电工程学院;
宽禁带半导体技术国家重点学科实验室;
MOSFET; 单粒子效应; TCAD仿真; 瞬态电流; 双极放大增益;
机译:使用基于电热粒子的器件模拟器研究SOI和常规MOSFET中的自热效应
机译:器件结构对SiC MOSFET中子诱导的单事件效应的影响
机译:具有单轴机械应变的n-MOSFET器件的温度效应
机译:器件结构对SIC MOSFET中子诱导的单事件效应的影响
机译:深亚微米MOSFET器件的基于粒子的三维模拟。
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:造型重型带电粒子对N-MOSFET器件结构电特性的影响
机译:功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mOsFET)的单粒子效应(sEE)
机译:制备单分散粒子的方法,使用该方法制备的单分散粒子以及使用单分散粒子的可调谐光子晶体器件
机译:耐辐射单元MOSFET增强了抗单事件效应和总电离剂量效应的能力
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