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星用功率 MOSFET 器件单粒子烧毁试验研究

     
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摘要

针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062,利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统,在252 Cf 模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究.通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值,为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据.

著录项

  • 来源
    《原子能科学技术》|2008年第12期|1125-1129|共5页
  • 作者

    薛玉雄; 田恺; 曹洲; 杨世宇; 刘刚; 蔡小五; 陆江;

  • 作者单位

    兰州物理研究所,真空低温技术与物理国防科技重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,真空低温技术与物理国防科技重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,真空低温技术与物理国防科技重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,真空低温技术与物理国防科技重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    中国科学院微电子研究所,北京,100029;

    中国科学院微电子研究所,北京,100029;

    中国科学院微电子研究所,北京,100029;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 可靠性及例行试验;
  • 关键词

    功率MOSFET器件; 单粒子烧毁; 锎源;

  • 入库时间 2022-08-18 01:36:16

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