一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法

摘要

本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。通过在n+型GaN衬底和n‑型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层，并结合此垂直器件中的p型GaN：Mg的电流阻挡区域、p型GaN增强型栅的结构特点，使得高能单粒子入射沉积的高密度非平衡载流子，能够高效地消除，减轻非平衡载流子对关态电场的扰动，避免出现电场集中，保证单粒子下的高压GaN器件击穿电压不会显著下降。此外，增加的高掺杂n型GaN缓冲层能够阻挡单粒子径迹前沿对n‑型GaN外延层/n+型GaN衬底高低结的影响，避免单粒子径迹前沿上的n‑/n+结提前击穿。