机译:外国基板上的氮化镓垂直功率器件:审查和前景
MIT Microsyst Technol Labs Cambridge MA 02139 USA;
Otto von Guericke Univ Inst Expt Phys D-39106 Magdeburg Germany;
MIT Microsyst Technol Labs Cambridge MA 02139 USA;
power electronics; gallium nitride; vertical diodes; vertical transistors; GaN on Si; GaN on sapphire;
机译:外国基板上的氮化镓垂直功率器件:审查和前景
机译:通过使用简单的n型电极图案改善大功率氮化铟镓/氮化镓基垂直发光二极管的性能
机译:金属有机化学气相沉积氮化镓,具有垂直动力装置应用的快速生长速率
机译:垂直氮化镓功率器件的材料问题
机译:氮化铝镓/氮化镓双通道HFET及其在不同基板上的氮化镓器件的实现
机译:通过镁离子注入实现垂直功率器件的p型氮化镓
机译:具有氮化镓器件的图腾柱功率因数校正整流器,用于电信电源