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Electrochemical Society meeting

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1.Characterization and Performance of D-mode GaN HEMT Transistor Used in a Cascode Configuration

机译：Cascode配置中使用的D模式GaN HEMT晶体管的表征和性能
- 作者：T. MacElwee;J. Roberts;H. Lafontaine;I. Scott;G. Klowak;L. Yushyna
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
2.Studying the Performance of Series-Connected GaN FETs in Higher Voltage Switching Applications

机译：研究较高电压切换应用中系列连接GaN FET的性能
- 作者：A. Hasanzadeh;A. Khaligh
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
3.GaN-based power HEMTs: Parasitic, Reliability and high field issues

机译：基于GaN的功率HEMT：寄生，可靠性和高场问题
- 作者：G. Meneghesso;M. Meneghini;D. Bisi;R. Silvestri;A. Zanandrea;O. Hilt;E. Bahat-Treidel;F. Brunner;A. Knauer;J. Wuerfl;E. Zanoni
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
4.Materials Issues for Vertical Gallium Nitride Power Devices

机译：垂直镓氮化镓功率器件的材料问题
- 作者：Adrian D. Williams;Theodore D. Moustakas
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
5.True 'Figure of Merit (FOM)' of a Power Semiconductor Switch

机译：真正的“功率半导体开关的优点（FOM）”图
- 作者：Krishna Shenai
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
6.High performance normally-off GaN MOSFETs on Si substrates

机译：Si基板上的高性能常关GAN MOSFET
- 作者：H. Kambayashi;N. Ikeda;T. Nomura;H. Ueda;Y. Morozumi;K. Harada;K. Hasebe;A. Teramoto;S. Sugawa;T. Ohmi
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
7.Comparison of SiC Epitaxial Growth from Dichlorosilane and Tetrafluorosilane Precursors

机译：二氯硅烷和四氟硅烷前体SiC外延生长的比较
- 作者：Haizheng Song;Tawhid Rana;M.V.S. Chandrashekhar;Sabih U. Omar;Tangali S. Sudarshan
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
8.Application Engineering of Wide Bandgap Semiconductors (Invited Paper)

机译：宽带隙半导体的应用工程（邀请纸）
- 作者：B. Sarlioglu;D. Han;J. Noppakunkajorn;A. Ogale
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
9.High Voltage InAlN/GaN HFETs Achieved by Schottky-Contact Technology for Power Applications

机译：通过肖特基接触技术实现高压Inaln / GaN HFET，用于电力应用
- 作者：Qi Zhou;Wanjun Chen;Shenghou Liu;Bo Zhang;Zhihong Feng;Shujun Cai;Kevin J. Chen
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
10.Monolithic Integration of High Temperature Silicon Carbide Integrated Circuits

机译：高温碳化硅集成电路的单片集成
- 作者：Mihaela Alexandru;Viorel Banu;Josep Montserrat;Philippe Godignon;Jose Millan
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
11.Key Reliability Issues for SiC Power MOSFETs

机译：SIC电源MOSFET的主要可靠性问题
- 作者：A. Lelis;D. Habersat;R. Green;E. Mooro
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
12.Reducing the wafer off angle for 4H-SiC homoepitaxy

机译：减少4H-SiC同性端的晶片OFF角度
- 作者：K. Kojima;K. Masumoto;S. Ito;A. Nagata;H. Okumura
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
13.Correlation between Defects and Electrical Characteristics/Reliability Analyzed by Integrated Evaluation Platform for SiC

机译：SIC集成评估平台分析的缺陷与电气特性/可靠性的相关性
- 作者：M. Kitabatake
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
14.3D TCAD Simulations for More Efficient SiC Power Devices Design

机译：用于更高效的SIC电源设备设计的3D TCAD模拟
- 作者：L. V. Phung;D. Planson;P. Brosselard;D. Tournier;C. Brylinski
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
15.AlGaN/GaN MIS-HEMT Gate Structure Improvement Using Al_2O_3 Deposited by PEALD and BCl_3 Gate Recess Etching

机译：AlGaN / GaN MIS-HEMT栅极结构使用PEALD和BCL_3栅极凹陷沉积的AL_2O_3使用
- 作者：R. Meunier;A. Torres;M. Charles;E. Morvan;M. Plissonier;F. Morancho
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
16.Interaction of Defects with Quantum Well States: Electrostatic-Dependent Response Time for Traps in AlGaN/GaN HEMTs

机译：缺陷与量子阱的相互作用状态：AlGaN / GaN Hemts中陷阱的静电依赖性响应时间
- 作者：M. J. Marinella;S. DasGupta;R. J. Kaplar;M. Sun;S. Atcitty;T. Palacios
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
17.Normally-off GaN Transistors for Power Switching Applications

机译：用于电源开关应用的常关GAN晶体管
- 作者：O. Hilt;E. Bahat-Treidel;F. Brunner;A. Knauer;R. Zhytnytska;P. Kotara;J. Wuerfl
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
18.Channel Transport in 4H-SiC MOSFETs: A Brief Review

机译：4H-SIC MOSFET的渠道运输：简要评论
- 作者：Sarit Dhar
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
19.Progress in SiC MOSFET Reliability

机译：SIC MOSFET可靠性的进展
- 作者：D. R. Hughart;J. D. Flicker;S. D. DasGupta;S. Atcitty;R. J. Kaplar;M. J. Marinella
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
20.Manufacturing Challenges in Wide Band Gap (WBG) Power Electronics

机译：宽带隙（WBG）电力电子制造挑战
- 作者：Krishna Shenai
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
21.Properties of Al-SiO_2-SiC(3C) Structures with Thermally Grown and PECVD Deposited SiO_2 Layers

机译：用热生长和PECVD沉积SiO_2层的Al-SiO_2-SiC（3C）结构的性质
- 作者：H. M. Przewlocki;T. Gutt;K. Piskorski;P. Borowicz;M. Bakowski
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
22.Influence of ion implantation in SiC on the channel mobility in lateral n-channel MOSFETs

机译：SiC在横向N沟道MOSFET中SiC在SiC中的影响
- 作者：C. Strenger;V. Uhnevionak;A. Burenkov;A. J. Bauer;P. Pichler;T. Erlbacher;H. Ryssel;L. Frey
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
23.Synchrotron X-Ray Topography Studies of the Evolution of the Defect Microstructure in Physical Vapor Transport Grown 4H-SiC Single Crystals

机译：同步X射线地形研究对物理蒸汽传输中缺陷微观结构的演变的研究生长了4H-SiC单晶
- 作者：M. Dudley;B. Raghothamachar;H. Wang;F. Wu;S. Byrappa;G. Chung;E. K. Sanchez;S. G. Mueller;D. Hansen;M. J. Loboda
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
24.Ⅲ-Nitride Materials and Devices for Power Electronics

机译：Ⅲ-氮化物材料和电力电子器件
- 作者：A. Dobrinsky;G. Simin;R. Gaska;M. Shur
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
25.Packaging Techniques for Compact SiC Power Modules Operable in an Extended Tj Range

机译：用于延长TJ范围内的小型SIC电源模块的包装技术
- 作者：Satoshi Tanimoto;Kinuyo Watanabe;Hidekazu Tanisawa;Kohei Matsui;Shinji Sato
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
26.Heat Dissipation in GaN Based Power Electronics

机译：GaN基功耗电子产品散热
- 作者：Zonghui Su;Jonathan A. Malen
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
27.Systems-Driven Power Semiconductor Education

机译：系统驱动的功率半导体教育
- 作者：Krishna Shenai
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
28.Ⅲ-N High-Power Bipolar Transistors

机译：Ⅲ-n高功率双极晶体管
- 作者：Russell D. Dupuis;Jeomoh Kim;Yi-Che Lee;Zachary Lochner;Mi-Hee Ji;Tsung-Ting Kao;Jae-Hyun Ryou;Theeradetch Detchphrom;Shyh-Chiang Shen
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
29.3C-SiC on Si Hetero-epitaxial Growth for Electronic and Biomedical Applications

机译：用于电子和生物医学应用的Si异质外延生长的3C-SiC
- 作者：M. Reyes;C.L Frewin;P. J. Ward;S. E. Saddow
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
30.Ammonothermal Bulk GaN Substrates for Power Electronics

机译：用于电力电子的氨水散装GAN基板
- 作者：M. P. DEvelyn;D. Ehrentraut;W. Jiang;D. S. Kamber;B. C. Downey;R. T. Pakalapati;H.-D. Yoo
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
31.Power Semiconductor Devices, Course Contents Revisited

机译：功率半导体器件，课程内容重新审视
- 作者：I. M. Abdel-Motaleb
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
32.GaN Power Transistors with Integrated Thermal Management

机译：GaN电源晶体管，具有集成热管理
- 作者：C.R. Eddy Jr.;T.J. Anderson;A.D. Koehler;N. Nepal;D.J. Meyer;M.J. Tadjer;R. Baranyai;J.W. Pomeroy;M. Kuball;T.I. Feygelson;B.B. Pate;M.A. Mastro;J.K. Hite;M.G. Ancona;F.J. Kub;K.D. Hobart
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
33.1000V Vertical JFET Using Bulk GaN

机译：1000V垂直JFET使用散装GaN
- 作者：Q. Diduck;H. Nie;B. Alvarez;A. Edwards;D. Bour;O. Aktas;D. Disney;I. C. Kizilyalli
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
34.Power Electronic Module Packaging at UA

机译：电力电子模块包装在UA
- 作者：S. S. Ang;H. A. Mantooth;J. C. Balda
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
35.Reliability of GaN HEMTs: Electrical and Radiation-Induced Failure Mechanisms

机译：GaN Hemts的可靠性：电气和辐射诱导的故障机制
- 作者：T. J. Anderson;A.D. Koehler;M. J. Tadjer;K. D. Hobart;P. Specht;M. Porter;T.R. Weatherford;B. Weaver;J.K. Hite;F. J. Kub
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
36.Basal Plane Dislocation Mitigation using High Temperature Annealing in 4H-SiC Epitaxy

机译：基于4H-SIC外延的高温退火基底平面脱位缓解
- 作者：N. A. Mahadik;A. Nath;E. A. Imhoff;R. E. Stahlbush;R. Nipoti
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
37.Preface

机译：前言
- 作者：K. Shenai;M. Bakowski;M. Dudley;N. Ohtani
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
38.Unexpected Sources of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Epitaxy

机译：4H-SIC外延中的基底平面位错的意外消息
- 作者：R. E. Stahlbush;N. A. Mahadik
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
39.Abrasive-Free Polishing of SiC Wafer Utilizing Catalyst Surface Reaction

机译：利用催化剂表面反应的SiC晶片无磨蚀抛光
- 作者：Y. Sano;K. Arima;K. Yamauchi
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
40.Electrochemical Hydrogenation of Dimensional Carbon

机译：尺寸碳的电化学氢化
- 作者：K.M. Daniels;S. Shetu;J. Staser;J. Weidner;C. Williams;T. S. Sudarshan;MVS Chandrashekhar
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
41.Growth of High-Quality GaN Template From Nanometer-Size Lattice Channels By Hydride Vapor Phase Epitaxy

机译：氢化物气相外延纳米尺寸晶格通道高质量GaN模板的生长
- 作者：A. Usui;T. Nakagawa;H. Sunakawa;T. Matsueda;A. Okada;J. Mizuno;A. A. Yamaguchi;H. Shinohara;H. Goto
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
42.Growth of GaN by MOCVD on Rare Earth Oxide on Si(111)

机译：MOCVD在Si上稀土氧化物的GaN的生长（111）
- 作者：F. Erdem Arkun;Rytis Dargis;Andrew Clark;Robin S. Smith;Michael Lebby;Jeffrey M. Leathersich;F. Shahedipour-Sandvik
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
43.Power Semiconductor Device Education: Which Topics and What Depth?

机译：电力半导体器件教育：哪种主题和深度？
- 作者：William P. Robbins;Ned Mohan
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
44.Power Semiconductor Device Modeling and Simulation

机译：功率半导体器件建模和仿真
- 作者：H. A. Mantooth;S. Ahmed;S. S. Ang
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
45.Production Readiness of AlGaN/GaN HEMT on 6'/8' Si

机译：6'/ 8'SI的Algan / GaN Hemt的生产准备
- 作者：Dong S. Lee;Jie Su;Balakrishnan Krishnan;George D. Papasouliotis;Ajit Paranjpe
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
46.Voltage Switching Limits of Lateral GaN Power Devices

机译：横向GaN电源装置的电压切换限制
- 作者：Krishna Shenai
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
47.On the Temperature Dependence of the Hall Factor in n-channel 4H-SiC MOSFETs

机译：关于N沟道4H-SIC MOSFET的霍尔因子的温度依赖性
- 作者：V. Uhnevionak;A. Burenkov;C. Strenger;A. J. Bauer;P. Pichler
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年
48.A Thermodynamic Interpretation of PVT Growth of Single Crystal SiC Material and Challenges in Reducing Dislocations

机译：单晶SIC材料PVT生长的热力学解释及降低脱位挑战
- 作者：T. Fujimoto;M. Katsuno;H. Tsuge;S. Sato;S. Ushio;K. Tani;H. Yashiro;H. Hirano;T. Yano
- 会议名称：《Electrochemical Society meeting》 | 2013年