硅基镓浓度对GaN晶体膜质量的影响

摘要

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,再氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行了研究.用傅里叶红外谱仪(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和光致发光(PL)谱对样品进行结构、形貌和发光特性的分析.测试结果表明,采用此方法可得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.镓浓度在影响膜层质量方面起着不可忽视的作用,随着扩镓浓度的增加,薄膜的晶化程度和发光特性明显提高.