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庄惠照; 高海永; 薛成山; 董志华;
山东师范大学;
氨化; ZnO/Ga2O3薄膜; 挥发; 射频磁控溅射;
机译:氨化温度对GaN纳米结构材料的形貌和光学性质的影响
机译:ZnO层的退火温度对合成低维GaN纳米结构材料的影响
机译:ZnO纳米材料的层厚度和透光率对GaN基发光二极管的影响
机译:氨化温度对RF磁控溅射技术对GaN / Nb纳米结构的微观结构,形貌和光学性能的影响
机译:残留气体对ZnO,GaN,ZnS纳米结构的场发射特性的影响,以及光对石墨烯电阻率的影响。
机译:朦胧的Al2O3-FTO纳米复合材料:与整合了ZnO和S:TiO2纳米结构的FTO基纳米复合材料的比较研究
机译:金纳米硅上ZnO纳米结构的生长:生长温度对生长机制和形态的影响
机译:下一代硅基塑料:多面体低聚倍半硅氧烷(pOss)纳米复合材料
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
机译:由Zn(OH)2纳米片和ZnO纳米晶须膜制成的混合膜,由ZnO纳米片和ZnO纳米晶须膜制成的混合膜及其制造方法
机译:Zn(OH)2纳米片和ZnO纳米晶须膜的混合膜,ZnO纳米片和ZnO纳米晶须膜的混合膜及其制造方法
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