机译:使用金属 - 有机化学气相沉积在200mm直径的硅基板上生长的AIGAN / AIN / GaN高电子迁移晶体管结构的质量制作特性
SCIOCS Co Ltd GaN On Si Project Hitachi Ibaraki Japan;
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Nagoya Inst Technol Res Ctr Nanodevice & Next Generat Mat Nagoya Aichi Japan;
GaN; AlN; high-electron-mobility transistor; two-dimensional electron gas; MOCVD; 200 mm; silicon substrate;
机译:深坑对硅衬底上的金属 - 有机化学气相沉积装置特性的影响硅衬底上的AIGAN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:在硅基板上通过金属有机化学气相沉积法生长的Al_2O_3 / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管在高温下可靠运行的限制
机译:AIN /蓝宝石模板上的金属有机化学气相沉积生长的InAIN / GaN高电子迁移率晶体管的器件特性
机译:我们在Si底物上报告了常常数-FaN基的异质结场效应晶体管(HFET)。使用金属化学气相沉积(MOCVD)生长AlGaN / AIN / GaN异质结构。用于常关操作的HFET W.
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:AlN生长温度对原位金属有机化学气相沉积生长AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管的陷阱密度的影响