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张义强;
工艺设计; 亚微米; 氧化层; 工艺技术; 高压氧化; 硅化物; CMOS工艺; 专用集成电路; 硅化钛; 台阶覆盖;
机译:在深亚微米CMOS中具有直接电池连接的数字感应开关DC / DC转换器的实际考虑
机译:面向设计的软错误率变化模型,同时考虑了亚微米CMOS SRAM单元中的芯片间和芯片内变化
机译:亚微米CMOS中可编程高频连续时间滤波器和可变增益放大器的设计考虑和实现
机译:用于制造的亚微米BiCMOS工艺设计
机译:深亚微米CMOS中的基于SAR的高性能ADC设计。
机译:用于亚微米像素的45 nm堆叠式CMOS图像传感器处理技术
机译:亚微米CMOS统计静态时序分析的非高斯互连延迟模型的精度考虑
机译:亚微米CmOs器件在区域熔化 - 重结晶sOI(绝缘体上硅)薄膜中
机译:用形成亚微米接触的方法制造亚微米NMOS,PMOS和CMOS器件的方法
机译:通过增强深亚微米CMOS工艺中的衬底偏置来实现I / O和电源ESD保护电路
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