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机译:面向设计的软错误率变化模型,同时考虑了亚微米CMOS SRAM单元中的芯片间和芯片内变化
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Waterloo, Canada;
Deep submicrometer; process variations; reliability; soft errors; static random access memory (SRAM);
机译:亚阈值SRAM单元中管芯和管芯内变化的解析软错误模型
机译:面向模内差异的面向统计设计的延迟差异模型
机译:一种提高由芯片内V_(th)变化引起的包含超漏电Sram单元的缓存的寿命的软件技术
机译:Vt变化的随机掺杂效应影响纳米级CMOS存储单元的软错误率
机译:建模和缓解纳米级SRAM中的软错误。
机译:多个参数的微小差异导致HIV-1设定点的较大差异:一种新颖的建模方法。
机译:65nm CMOS技术PMOS晶体管的芯片到芯片和芯片内制造变化