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Shan.H; 李祥;
不详;
沉积; 离子散射; 二氧化硅; 刻蚀; 多层互连工艺;
机译:入射离子束角对沉积在Si衬底上的硅亚微米颗粒干法刻蚀的影响
机译:在射频或直流等离子体中刻蚀SiO2期间的特征轮廓演变%在射频或直流等离子体中刻蚀SiO2期间的特征轮廓演变
机译:通过CH_4 / H_2反应离子刻蚀在InP表面亚微米节距光栅中进行选择性刻蚀时,选择性对等离子体条件的依赖性
机译:在湿法刻蚀的SiO2结构上热沉积As2 S3波导中产生八度跨度的超连续谱
机译:有机材料等离子体刻蚀的刻蚀轮廓控制与表面反应研究
机译:SiO2球形掩模的ICP刻蚀技术制备金刚石亚微米透镜和圆柱体
机译:通过自模板刻蚀沉积工艺从Si纳米粒子向Si @ SiO2核壳,卵黄壳和SiO2空心结构的转变
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。
机译:通过高密度等离子刻蚀机对掺杂的SIO2进行蚀刻,对未掺杂的Sio2具有高选择性
机译:等离子刻蚀多晶硅层至SiO2刻蚀层的通道
机译:用更高难度的等离子体设备测量选择性高的SIO2对SIO2的影响
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