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This plasma etching of a layer of polysilicon to the passage of a layer of si02 gravee

机译：等离子刻蚀多晶硅层至SiO2刻蚀层的通道

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  • 公开/公告号FR2797715B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;

    申请/专利号FR20000006683

  • 发明设计人 PASCAL COSTAGANNA;

    申请日2000-05-25

  • 分类号H01L21/467;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 21:17:41

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