公开/公告号CN102422389B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 瓦里安半导体设备公司;
申请/专利号CN201080020274.7
申请日2010-04-02
分类号H01L21/205(20060101);H01L21/3065(20060101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人臧建明
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
入库时间 2022-08-23 09:21:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-10-22
授权
授权
2012-05-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20100402
实质审查的生效
2012-04-18
公开
公开
机译: 使用等离子鞘工程增强蚀刻和沉积轮廓控制
机译: 使用等离子鞘管工程技术,改善了沉积轮廓控制和蚀刻
机译: 使用等离子鞘工程增强的蚀刻沉积轮廓控制