美国制造出超小型单电子晶体管

摘要

据美国物理学家组织网4月19日报道，由美国匹兹堡大学领导的一个研究小组日前宣布，他们制造了一种核心组件直径只有1．5nm的超小型单电子晶体管。该装置是制造下一代低功耗、高密度超大规模集成电路理想的基本器件，具有极广泛的应用价值。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。单电子晶体管是用一个或几个电子就能记录信号的晶体管，其尺度都处于纳米级别。随着集成电路技术的发展，电子元件的尺寸越来越小，由单电子晶体管组成的电路日益受到研究人员的青睐，其高灵敏度的特性和独特的电气性能使其成为未来随机存储器和高速处理器制造材料的有力竞争者。