美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校在200mm硅晶圆上制造出GaN高电子迁移率晶体管

摘要

近日，在美国空军科学研究实验室资助下，美国伊利诺伊大学厄巴纳一香槟分校（UIUC）宣布研制出先进的硅基氮化镓晶体管技术，在其微纳米技术实验室实现了200mm硅晶圆上制造出高电子迁移率晶体管（HEMT），若在工业界可能实现更大的晶圆尺寸。