公开/公告号CN103545359B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN201210237333.7
申请日2012-07-10
分类号
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司;
代理人杨林
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
入库时间 2022-08-23 09:38:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-27
授权
授权
2014-03-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/76 申请日:20120710
实质审查的生效
2014-01-29
公开
公开
机译: 量子点尺寸可控的单电子晶体管,单电子晶体管与双栅MOSFET的集成及其制造方法
机译: 可集成到SOI基板中的单电子晶体管,包括可控制量子大小的单电子晶体管,双栅极MOSFET及其每种制造方法
机译: 通过使GRAPHYNE,GRAPHYNE单电子晶体管和电子隧道GRAPHYNE晶体管发生一次或多次弯曲变形来控制晶体管的开/关