首页> 中国专利> 单电子晶体管核心结构制备方法及单电子晶体管核心结构

单电子晶体管核心结构制备方法及单电子晶体管核心结构

摘要

本发明公开了单电子晶体管核心结构的制备方法及单电子晶体管核心结构。该方法包括以下步骤:构建二维DNA基底;用单链DNA对纳米颗粒进行修饰,并用与修饰纳米颗粒的单链DNA不同的单链DNA对第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒进行修饰;将经单链DNA修饰过的第一金纳米棒、第二金纳米棒、第三金纳米棒和纳米颗粒与二维DNA基底进行杂交,从而形成单电子晶体管核心结构,其中,二维DNA基底上连接有伸出二维DNA基底平面的与修饰纳米颗粒、第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒的单链DNA互补的单链DNA探针,与修饰第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒中的一个金纳米棒的单链DNA互补的单链DNA探针是在二维DNA基底上成直线排列的多条单链DNA探针。

著录项

  • 公开/公告号CN103545359B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201210237333.7

  • 发明设计人 王强斌;陈中;

    申请日2012-07-10

  • 分类号

  • 代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨林

  • 地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

  • 入库时间 2022-08-23 09:38:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-27

    授权

    授权

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/76 申请日:20120710

    实质审查的生效

  • 2014-01-29

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号