退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
陈一峰; 刘兴钊; 邓新武;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;
6H-SiC; 同质外延; 气-液-固生长机理;
机译:化学气相沉积法在近轴(0001)面上6H-SiC的同质外延第Ⅰ部分:C / Si比对不含3C-SiC夹杂物的广域同质外延的影响
机译:高质量6H-SiC(0001)同质外延层作为AlN外延层生长的衬底表面
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:6H-SiC多孔层作为后续同质外延生长的基质的TEM(XHREM)和EDX研究
机译:氢化物气相外延法研究氮化镓的m-平面同质外延和平衡晶体形状。
机译:高质量异质外延薄膜生长钙钛矿型氧氮化钙CaTaO2N的研究:界面的重要性薄膜与基材之间的对称匹配
机译:高温刻蚀和外延生长后轴上6H-siC晶片表面形貌的研究
机译:4H-和6H-siC同质外延层中的缺陷和杂质:识别,起源,对欧姆接触和绝缘层性能的影响和还原
机译:用于液相外延的薄膜生长方法和薄膜生长设备
机译:在独立(Al,In,Ga)N衬底上形成的具有改进的MOVPE外延质量(表面纹理和缺陷密度)的III-V氮化物同质外延材料,以及包括该材料的光电和电子器件
机译:薄膜生长的域外延
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。