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贾护军; 杨银堂; 柴常春; 李跃进;
西安电子科技大学微电子研究所;
外延生长; 6H-SiC/Si薄膜; 微结构; 6H碳化硅薄膜; 化学气相淀积;
机译:等离子体辅助分子束外延生长在6H-SiC(0001)上生长的AlN:Si薄膜的可控n型掺杂
机译:堆垛顺序和晶格参数差异对(1120)6H-SiC等离子体辅助分子束外延生长非极性AIN薄膜微结构的影响
机译:等离子体辅助分子束外延生长在(111)Si衬底上生长的ZnO薄膜的显微结构
机译:在Si(111)和6H-SiC衬底上通过固相气相外延生长的SiC薄膜中不同多型的拉曼研究
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:在6H-SiC的Si和C面上生长的外延石墨烯的微拉曼光谱和微透射成像
机译:低温生长SiC / Si异质外延薄膜的晶体结构研究
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:利用分子束外延在Si上外延生长Ge x Si 1-x层的方法
机译:外延生长在带沟槽的Si <001>衬底上的立方相氮基化合物半导体薄膜
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