公开/公告号CN108231950B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海高等研究院;
申请/专利号CN201611199810.X
申请日2016-12-22
分类号H01L31/18(20060101);H01L21/02(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人姚艳
地址 201210 上海市浦东新区海科路99号
入库时间 2022-08-23 10:45:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-10
授权
授权
2018-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20161222
实质审查的生效
2018-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20161222
实质审查的生效
2018-06-29
公开
公开
2018-06-29
公开
公开
2018-06-29
公开
公开
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机译: 半导体衬底同质外延层沉积工艺-涂覆衬底的侧面和背面以防止腐蚀,特别是。用于高电阻晶体管制造商。
机译: SiC掺杂同质外延层的制备方法
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