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鱼胜利; 朱建平;
中国工程物理研究院机械制造工艺研究所,四川绵阳620019;
化学机械抛光; 正交试验; 极差分析;
机译:磁性抛光液(MPL)抛光过程中颗粒混合比对表面质量的影响
机译:研究人员提交了专利申请“ Cmp抛光液,衬底的抛光方法和电子元件”以供批准
机译:抛光参数对蓝宝石双面CMP表面质量的影响
机译:通过有针对性地调整抛光液和抛光垫,改善化学机械抛光CMP工艺的性能
机译:正交调制器的非线性行为建模以及对无线通信系统的影响分析
机译:基于KDFcmPUM的正交分裂成像姿态传感器标定方法
机译:Cmp抛光工艺对GaN表面质量的研究
机译:正交频分复用(OFDm)系统中相位噪声和频率偏移的影响分析
机译:CMP的CMP抛光液CMP抛光液组及抛光方法
机译:用于CMP的抛光液,用于CMP的抛光液以及抛光方法
机译:CMP抛光液,CMP抛光液组及抛光方法
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