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刘玉岭; 邢哲; 檀柏梅; 王新; 李薇薇;
河北工业大学微电子研究所;
化学机械抛光; 抛光液; CMP; 多层布线; ULSI; 铜钽抛光;
机译:胶带剥离试验方法的比较和在下一代ULSI铜的密合性评价的四点弯曲试验方法/低k布线结构材料的多层膜
机译:超大型系统集成(ULSI)中铜化学机械抛光(CMP)和CMP后清洗的综述-电化学角度
机译:使用钽阻挡层的碳纳米管生长技术用于采用Cu / Low-k互连工艺的未来ULSI
机译:ULSI铜互连钽阻挡层CMP浆料研究
机译:ULSI多层布线的研究
机译:石墨烯和氮化硼阻挡层保护的铜的实时氧化物演化
机译:降低了电阻,提高了用于Si-ULSI器件的铜布线的可靠性
机译:基于钽的铜金属化扩散阻挡层。
机译:超大型集成电路(ULSI)铜多层互连结构制造过程中与化学机械平面化(CMP)相关的菜品控制问题的方法
机译:化学机械抛光(CMP)浆料,用于抛光使用钽基阻挡层的铜互连
机译:具有经由非晶碳化钽的阻挡层形成在基底上的铜布线层的半导体装置
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